[发明专利]一种高稳定性高渗透性致密陶瓷透氧膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410613300.7 申请日: 2014-11-03
公开(公告)号: CN104492278A 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 张小珍;索帅锋;王艳香;周健儿;常启兵;江瑜华 申请(专利权)人: 景德镇陶瓷学院
主分类号: B01D71/02 分类号: B01D71/02;B01D67/00;B01D53/22;C04B35/50;C04B35/622
代理公司: 广州广信知识产权代理有限公司44261 代理人: 李玉峰
地址: 333001江西省景*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 稳定性 渗透性 致密 陶瓷 透氧膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高稳定性高渗透性致密陶瓷透氧膜,由氧离子导体相和离子-电子混合导体相构成;其特征在于:所述氧离子导体相为掺杂CeO2多孔基体,所述离子-电子混合导体相为钙钛矿结构氧离子-电子混合导体、且位于所述基体中的连通孔道内;按照体积百分比所述氧离子导体相为75~92%、离子-电子混合导体相为8~25%。

2.根据权利要求1所述的高稳定性高渗透性致密陶瓷透氧膜,其特征在于:所述离子-电子混合导体相通过浸渍负载沉积在所述掺杂CeO2多孔基体的孔道内。

3.根据权利要求1或2所述的高稳定性高渗透性致密陶瓷透氧膜,其特征在于:所述氧离子导体相其化学式为Ce1-zMzO2-δ,其中M为Sm3+/Gd3+,0.15≤z≤0.25;所述离子-电子混合导体相其化学式为A1-xSrxFe1-yByO3-δ,其中A为Sm3+/Gd3+,B为Cu2+或Zn2+,0.2≤x≤0.5,0.1≤y≤0.5;δ为氧空位浓度。

4.根据权利要求3所述的高稳定性高渗透性致密陶瓷透氧膜,其特征在于:所述离子-电子混合导体相其化学式A1-xSrxFe1-yByO3-δ中,B为Cu2+时,0.1≤y≤0.4;B为Zn2+时,0.3≤y≤0.5。

5.根据权利要求4所述的高稳定性高渗透性致密陶瓷透氧膜,其特征在于:所述离子-电子混合导体相其化学式A1-xSrxFe1-yByO3-δ中,B为Cu2+时,0.25≤y≤0.35。

6.权利要求1-5之一所述高稳定性高渗透性致密陶瓷透氧膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

(1)原料粉体的制备

包括氧离子导体相粉体的制备和离子-电子混合导体相粉体的制备;

(2)多孔氧离子导体相基体的制备

以所述氧离子导体相粉体制备多孔氧离子导体相基体;

(3)离子-电子混合导体相的浸渍负载

以所述离子-电子混合导体相粉体制备浸渍浆料,并浸渍所述多孔氧离子导体相基体,得到负载离子-电子混合导体相的氧离子导体相基体;

(4)高温共烧制备双相致密陶瓷透氧膜

高温共烧所述负载离子-电子混合导体相的氧离子导体相基体,得到双相致密陶瓷透氧膜。

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