[发明专利]一种驱动电路结构有效
申请号: | 201410616465.X | 申请日: | 2014-11-06 |
公开(公告)号: | CN104320118B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
发明(设计)人: | 李兆桂;陈涛 | 申请(专利权)人: | 无锡普雅半导体有限公司 |
主分类号: | H03K17/94 | 分类号: | H03K17/94 |
代理公司: | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)32227 | 代理人: | 顾吉云 |
地址: | 214101 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 电路 结构 | ||
1.一种驱动电路结构,其包括上拉电流Ibiasp,所述上拉电流Ibiasp一端连接电压源VPP、另一端连接PMOS管P1的漏端,所述PMOS管P1的栅端连接电平转换器,所述电平转换器另一端连接第二NMOS管N2的栅端、反相器I1的输出端,所述反相器I1的输入端为驱动输入端IN,所述第二NMOS管N2的源端连接第一下拉电流Ibiasn1一端,所述第一下拉电流Ibiasn1另一端接地,所述第二NMOS管N2的漏端连接所述PMOS管P1的源端、电容C1一端、第一NMOS管N1的栅端,所述电容C1另一端接地,所述第一NMOS管N1的漏端连接电源VDD、源端为驱动输出端OUT,其特征在于,其还包括控制电路,所述控制电路包括栅端与源端相连的第五NMOS管N5,所述第五NMOS管N5的源端连接所述PMOS管P1的源端,所述第五NMOS管N5的漏端连接第三NMOS管N3的漏端、第四NMOS管N4的漏端,所述第四NMOS管N4的栅端与源端相连,所述第三NMOS管N3的栅端连接所述第二NMOS管N2的栅端,所述第三NMOS管N3源端连接第二下拉电流Ibiasn2一端,所述第二下拉电流Ibiasn2另一端接地。
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