[发明专利]区分NOR Flash与NAND Flash的方法和装置有效
申请号: | 201410617591.7 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN104461959A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 陈奋 | 申请(专利权)人: | 福州瑞芯微电子有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;吕元辉 |
地址: | 350003 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 区分 nor flash nand 方法 装置 | ||
1.一种区分NOR Flash与NAND Flash的方法,包括步骤:
在Flash数据输出线接上拉电阻或下拉电阻;
在头部信息时钟范围内输入标识信息获取指令;
在有效信息时钟范围内读取各时钟的缓存数据;
根据所述各时钟的缓存数据区分NOR Flash与Nand Flash。
2.如权利要求1所述的区分NOR Flash与NAND Flash的方法中,所述标识信息获取指令为0x9F命令。
3.如权利要求1或2所述的区分NOR Flash与NAND Flash的方法中,步骤“根据所述各时钟的缓存数据区分NOR Flash与Nand Flash”具体包括:
判断所述各时钟的缓存数据中的第2和第3字节是否全是高电位信息或全是低电位信息,若是则判定SPI Flash硬件连接有误。
4.如权利要求3所述的区分NOR Flash与NAND Flash的方法中,步骤“根据所述各时钟的缓存数据区分NOR Flash与Nand Flash”具体包括:
判断所述各时钟的缓存数据中的第2和第3字节是否全是高电位信息或全是低电位信息,若否,则判断所述各时钟的缓存数据的第1个字节是否是高电位信息或低电位信息,若是则判定SPI Flash接口连接的是SPI NAND Flash;否则判定SPI Flash接口连接的是SPI NOR Flash。
5.如权利要求1或2所述的区分NOR Flash与NAND Flash的方法中,所述头部信息时钟范围为第0-7个时钟;所述有效信息时钟范围为第8-31个时钟。
6.一种区分NOR Flash与Nand Flash的装置,包括Flash数据输出线,所述Flash数据输出线上接有上拉电阻或下拉电阻;
所述装置还包括输入单元、缓存读取单元和判断单元;
所述输入单元用于在头部信息时钟范围内接收标识信息获取指令;
所述缓存读取单元用于在有效信息时钟范围内读取各时钟的缓存数据;
所述判断单元用于根据所述各时钟的缓存数据区分NOR Flash与Nand Flash。
7.如权利要求6所述的区分NOR Flash与Nand Flash的装置中,所述标识信息获取指令为0x9F命令。
8.如权利要求6或7所述的区分NOR Flash与Nand Flash的装置中,判断单元根据所述各时钟的缓存数据区分NOR Flash与Nand Flash具体包括:
判断所述各时钟的缓存数据中的第2和第3字节是否全是高电位信息或全是低电位信息,若是则判定SPI Flash硬件连接有误。
9.如权利要求8所述的区分NOR Flash与Nand Flash的装置中,判断单元根据所述各时钟的缓存数据区分NOR Flash与Nand Flash具体包括:
判断所述各时钟的缓存数据中的第2和第3字节是否全是高电位信息或全是低电位信息,若否,则判断所述各时钟的缓存数据的第1个字节是否是高电位信息或低电位信息,若是则判定SPI Flash接口连接的是SPI NAND Flash;否则判定SPI Flash接口连接的是SPI NOR Flash。
10.如权利要求6或7所述的区分NOR Flash与Nand Flash的装置中,所述头部信息时钟范围为第0-7个时钟;所述有效信息时钟范围为第8-31个时钟。
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