[发明专利]区分NOR Flash与NAND Flash的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及电子设备领域，更具体地涉及一种区分SPI NOR Flash与SPI NAND Flash的方法和装置。 

背景技术

SPI NOR Flash与SPI NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash的特点是芯片内执行(XIP，eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR Flash的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND Flash的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND Flash的困难在于其Flash管理需要特殊的系统接口。通常读取NOR Flash的速度比NAND Flash稍快，而NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多 

SPI NOR Flash和SPI NAND Flash有相同外部接口，但是两种器件使用的命令和时序却不一样。当硬件需要同时支持SPI NOR Flash和SPI NAND Flash两种器件时，就需要在硬件初始化时，对连接的Flash器件进行识别，后续才能使用正确的命令和时序来操作连接的器件。 

现有的识别方法是先使用SPI NOR Flash或SPI NAND Flash其中一种读数据命令时序进行探测查看是否返回正确的数据。如果返回正确的数据，则 识别出相应的器件。如果没有返回正确的数据，再使用另外一种读数据命令时序进行探测。这种探测识别方法速度慢,影响启动时间。 

发明内容

为此，需要提供一种识别速度快、效率高的区分SPI NOR Flash与SPI NAND Flash的方法和装置。 

为实现上述目的，发明人提供了一种区分NOR Flash与NAND Flash的方法，包括步骤： 

在Flash数据输出线接上拉电阻或下拉电阻； 

在头部信息时钟范围内输入标识信息获取指令； 

在有效信息时钟范围内读取各时钟的缓存数据； 

根据所述各时钟的缓存数据区分NOR Flash与Nand Flash。 

进一步地，所述的区分NOR Flash与NAND Flash的方法中，所述标识信息获取指令为0x9F命令。 

进一步地，所述的区分NOR Flash与NAND Flash的方法中，步骤“根据所述各时钟的缓存数据区分NOR Flash与Nand Flash”具体包括： 

判断所述各时钟的缓存数据中的第2和第3字节是否全是高电位信息或全是低电位信息，若是则判定SPI Flash硬件连接有误。 

进一步地，所述的区分NOR Flash与NAND Flash的方法中，步骤“根据所述各时钟的缓存数据区分NOR Flash与Nand Flash”具体包括： 

判断所述各时钟的缓存数据中的第2和第3字节是否全是高电位信息或全是低电位信息，若否，则判断所述各时钟的缓存数据的第1个字节是否是高电位信息或低电位信息，若是则判定SPI Flash接口连接的是SPI NAND Flash；否则判定SPI Flash接口连接的是SPI NOR Flash。 

进一步地，所述的区分NOR Flash与NAND Flash的方法中，所述头部信息时钟范围为第0-7个时钟；所述有效信息时钟范围为第8-31个时钟。 

发明人还提供了一种区分NOR Flash与Nand Flash的装置，包括Flash数据输出线，所述Flash数据输出线上接有上拉电阻或下拉电阻； 

所述装置还包括输入单元、缓存读取单元和判断单元； 

所述输入单元用于在头部信息时钟范围内接收标识信息获取指令； 

所述缓存读取单元用于在有效信息时钟范围内读取各时钟的缓存数据；