[发明专利]一种承载装置及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种承载装置及其制备方法。

背景技术

在半导体的生产工艺中，透射电子显微镜(Transmission electron microscope，简称TEM)是用于检测器件的薄膜的形貌、尺寸以及特征的一个重要的电子显微镜工具，它的工作原理是将样品进行切割、研磨以及减薄等方式后放入TEM观察室，并以高压加速的电子束照射样品，将样品的形貌放大，最终形成TEM样品的图像，以及对TEM样品图像进行观察、量测和分析。

对于TEM样品的制备方法有多种，其中较为常见的是采用聚焦离子束(Focused Ion Beam，简称FIB)制备TEM样品，在形成TEM样品之后往往需要对其进行观察、分析以及检测等步骤以保证TEM样品质量的可靠性，当TEM样品在进行检测时必须要获取正的TEM样品图像，其中必然与TEM样品的承载装置有密不可分的关系。

现有技术中普遍采用的TEM样品的承载装置—铜栅来放置TEM样品，如图1所示，该铜栅包括铜骨架2和碳支持膜1，TEM样品3粘附在碳支持膜1上，以此将载有TEM样品3的铜栅置于透射电镜中对TEM样品3进行检测、分析。具体的，通过FIB的聚焦离子束制备TEM样品，然后用Pick up系统提取TEM样品，将其放置于一个铜栅上，最后将铜栅放置于TEM机台中对TEM样品进行失效或缺陷的观察和分析。

但是，在对TEM样品进行失效或缺陷分析时会受到铜栅本身材料和结构的影响，一方面由于铜栅骨架为铜，由于铜栅的干扰会影响对铜元素分析的结果判断，另一方面，对于一些需要获得高分辨率图像的TEM样品，因为TEM样品是放置于铜栅的碳支持膜上，透射电子束除了穿过样品还会穿过碳支持膜，这样会影响清晰高分辨图片的获得和解析。

综上，亟需提供一种新的承载装置，避免铜栅的铜元素和碳支持膜对TEM样品的观察和分析的干扰，以提高对TEM样品进行失效或缺陷分析的准确率。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种承载装置及其制备方法，以解决现有技术中无法避免铜栅的铜元素和碳支持膜对TEM样品的观察和分析的干扰，使对TEM样品进行失效或缺陷分析的准确率降低的缺陷。

本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：

一种承载装置，其中，应用于对TEM样品的检测工艺中，所述TEM样品包括支撑区域和用于检测的透射区域，所述装置包括一基体，位于所述支撑区域的所述TEM样品固定设置在所述基体上，以使得所述透射区域悬空；

其中，对位于悬空的所述透射区域中的TEM样品进行所述检测工艺。

较佳的，上述的承载装置，其中，所述基体上设置有与所述支撑区域形状匹配的凹槽，所述支撑区域插入所述凹槽中，以将所述TEM样品固定在所述基体上。

较佳的，上述的承载装置，其中，所述装置还包括一加固条，所述支撑区域插入所述凹槽中后，所述加固条覆盖所述凹槽，以将位于所述支撑区域的TEM样品固定在所述凹槽。

较佳的，上述的承载装置，其中，所述加固条的材质为金属。

较佳的，上述的承载装置，其中，所述金属为Pt。

较佳的，上述的承载装置，其中，所述基体的材质与所述TEM样品的透射区域的材质不同。

较佳的，上所述的承载装置，其中，所述基体的材质为硅。

一种承载装置的制备方法，其中，应用于对TEM样品的检测工艺中，所述TEM样品包括支撑区域和用于检测的透射区域，所述方法包括：

步骤S1、提供一硅基载体；

步骤S2、于所述硅基载体上制备与所述支撑区域中所述TEM样品形状匹配的凹槽；

步骤S3、将所述TEM样品位于所述支撑区域的部分插接至所述凹槽中，以支撑所述TEM样品位于所述透射区域的部分悬空；

步骤S4、对所述透射区域进行所述检测工艺。

较佳的，上述的承载装置的制备方法，其中，所述方法还包括：

采用化学机械研磨工艺对所述硅基载体的表面进行平滑处理后，再于所述硅基载体上制备所述凹槽。

较佳的，上述的承载装置的制备方法，其中，所述方法还包括：

采用聚焦离子束于所述硅基载体上制备所述凹槽。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：