[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包含有：

基底，该基底上具有一鳍状结构；

栅极结构，跨越于部分该鳍状结构上，其中该鳍状结构被该栅极结构覆盖的顶面定义为一第一顶面，该鳍状结构未被该栅极结构覆盖的顶面定义为一第二顶面，且该第一顶面高于该第二顶面；以及

间隙壁，覆盖部分该栅极结构的侧壁，该间隙壁包含有一内间隙壁以及一覆盖于该内间隙壁外表面的外间隙壁，其中该外间隙壁还直接接触该鳍状结构的第二顶面。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该外间隙壁至少部分位于该内间隙壁以及该鳍状结构之间。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该内间隙壁有一底面与该第一顶面切齐。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该外间隙壁有一底面与该第二顶面切齐。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该鳍状结构还包含有一第一侧壁，该第一侧壁位于该第一顶面与该第二顶面之间。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该内间隙壁不直接接触该第一侧壁。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其中该外间隙壁直接接触该第一侧壁。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该基底至该第一顶面的高度为一第一高度，该基底至该第二顶面的高度为一第二高度，且该第二高度与该第一高度的比值为介于0.9～0.95之间。

9.一种半导体结构的制作方法，至少包含以下步骤：

提供一基底，基底上有一鳍状结构，并有一栅极结构跨越该鳍状结构，一内间隙壁形成于该栅极结构的两侧壁，此外该内间隙壁还部分覆盖该鳍状结构的一顶面上以及部分侧壁；

对该鳍状结构进行一缩减步骤，部分移除该鳍状结构的顶面以及侧壁，其中，缩减后的该鳍状结构，未被该栅极结构覆盖的顶面定义为一第二顶面，并产生一空隙位于该第二顶面以及该内间隙壁的一底面之间；以及

形成一外间隙壁，至少覆盖于该第二顶面上以及该空隙中。

10.如权利要求9所述的方法，其中形成该内间隙壁的方法还包含：

全面性形成一介电层于该基底上、该鳍状结构上以及该栅极结构上；以及

进行一蚀刻步骤，移除位于该栅极结构顶面的该介电层，并曝露该鳍状结构。

11.如权利要求9所述的方法，其中还包括形成一外间隙壁于该第二顶面，以及被缩减后的鳍状结构侧壁。

12.如权利要求9所述的方法，其中该鳍状结构被该栅极结构覆盖的顶面定义为一第一顶面，且该内间隙壁的一底面与该第一顶面切齐。

13.如权利要求12所述的方法，其中该鳍状结构还包含有一第一侧壁，该第一侧壁位于该第一顶面与该第二顶面之间，且该内间隙壁不直接接触该第一侧壁。

14.如权利要求13所述的方法，其中该外间隙壁直接接触该第一侧壁。

15.如权利要求9所述的方法，在该外间隙壁形成之后，还包括移除未被该栅极结构覆盖的该鳍状结构，并形成一凹槽，以及形成一外延层于该凹槽中。

16.如权利要求9所述的方法，其中该缩减步骤包含有一各向异性的干蚀刻步骤。

17.如权利要求16所述的方法，其中该缩减步骤后，该鳍状结构的顶面被移除的厚度，大于该鳍状结构的侧壁被移除的厚度。