[发明专利]Li2MgTi3O8系微波介质陶瓷Sn4+置换B位Ti4+提高Q值的方法无效
| 申请号： | 201410619695.1 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104341148A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 张平;赵永贵 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/465 | 分类号： | C04B35/465;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | li sub mgti 微波 介质 陶瓷 sn sup 置换 ti 提高 方法 | ||
1.一种Li2MgTi3O8系微波介质陶瓷Sn4+置换B位Ti4+提高Q值的方法，具有如下步骤：
(1)将原料Li2CO3、MgO、TiO2和SnO2按Li2Mg(Ti1-xSnx)3O8，其中0.02≤x≤0.25的化学式称量配料；
(2)将步骤(1)配制的原料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4小时；再将球磨后的原料置于干燥箱中烘干，过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；
(3)将步骤(2)处理好的粉料在900℃下预烧3小时，并在此温度下保温4小时，合成主晶相；
(4)将步骤(3)所得产物放入球磨罐中，加入去离子水，球磨6小时，烘干后外加石蜡作为粘合剂造粒，过80目筛后，采用粉末压片机压制成生坯；
(5)将步骤(4)成型后的生坯于1060～1140℃烧结，保温2～6小时，制得Li2Mg(Ti1-xSnx)3O8，其中0.02≤x≤0.25微波介质陶瓷。
2.根据权利要求1所述的Li2MgTi3O8系微波介质陶瓷Sn4+置换B位Ti4+提高Q值的方法，其特征在于，所述步骤(1)的化学式为Li2Mg(Ti1-xSnx)3O8，其中x＝0.15。
3.根据权利要求1所述的Li2MgTi3O8系微波介质陶瓷Sn4+置换B位Ti4+提高Q值的方法，其特征在于，所述步骤(4)的生坯为Φ10mm×5mm的圆柱体。
4.根据权利要求1所述的Li2MgTi3O8系微波介质陶瓷Sn4+置换B位Ti4+提高Q值的方法，其特征在于，所述步骤(5)的烧结温度为1100℃。
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