[发明专利]一种集成退磁采样器件的HVMOS及退磁采样电路有效

专利信息
申请号: 201410625126.8 申请日: 2014-11-10
公开(公告)号: CN105655397B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 陈朝勇;李育超;丁增伟;刘玉芳 申请(专利权)人: 无锡华润矽科微电子有限公司
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H05B37/02
代理公司: 江苏英特东华律师事务所 32229 代理人: 邵鋆
地址: 214135 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 退磁 采样 器件 hvmos 电路
【权利要求书】:

1.一种集成退磁采样器件的HVMOS,包括:P衬底、N漂移区、N型掺杂漏极端、场氧化层、栅氧化层、P型阱源极端、场极板及栅极,所述漏极与N漂移区构成上极板,其特征在于:所述场极板分为直条部分与弯头部分,所述直条部分包括直条部分栅极与直条部分场极板,所述弯头部分包括弯头部分栅极,所述直条部分栅极与直条部分场极板断开,使直条部分场极板不会覆盖到栅氧化层,弯头部分栅极与直条部分栅极断开,且将直条部分场极板与弯头部分栅极相连共同构成下极板;所述下极板与上极板通过两者之间的介质形成有高压覆盖电容。

2.如权利要求1所述的一种集成退磁采样器件的HVMOS,其特征在于:所述高压覆盖电容由直条部分高压覆盖电容与HVMOS弯头部分高压覆盖电容共同组成,也可以根据需要只选择其中一个高压覆盖电容作为退磁采样器件。

3.如权利要求1所述的一种集成退磁采样器件的HVMOS,其特征在于:所述场极板采用能够与漏极形成高压覆盖电容的材料制成。

4.如权利要求1所述的一种集成退磁采样器件的HVMOS,其特征在于:所述高压覆盖电容大小可通过调节场极板覆盖场氧的长宽、漂移区浓度、场氧厚度实现。

5.如权利要求1‐4中任一项所述的一种集成退磁采样器件的HVMOS,其特征在于:所述的一种集成退磁采样器件的HVMOS还包括P衬底上加入了P型或N型的外延层。

6.一种利用权利要求1所述HVMOS采集退磁信号的电路,其特征在于:包括:输出整流电路模块、变压器、LDMOS器件、退磁信号采样电路、退磁时间计时电路、开关逻辑控制电路,变压器初级的一端连接输入电压正极,变压器初级的另一端连接LDMOS的漏极端,变压器次级的一端连接输出整流电路的二极管正极,变压器次级的另一端连接输出整流电路滤波电容的负极,负载电路的正负极分别连接二极管负极与滤波电容负极,LDMOS的场极板端连接退磁信号采样电路的输入端,退磁信号采样电路的输入端连接LDMOS的场极板端,退磁信号采样电路的输出端连接退磁时间计时电路的输入端,退磁时间计时电路的输入端连接退磁信号采样电路的输出端,开关逻辑控制电路的输入端连接退磁时间计时电路的输出端,开关逻辑控制电路输出控制信号到开关器件的栅极。

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