[发明专利]光阻脱除剂和电子元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种光阻脱除剂，且特别是有关于一种含有仲或叔醇胺、含有极性溶剂更含有醇醚类化合物的光阻脱除剂。

先前技术

一般来说，半导体积体电路的制程基本上是通过以下步骤进行：在基板上形成材料层；将光阻涂布在该材料层上；选择性地对光阻进行曝光及显影，以形成图案；以光阻图案作为遮罩，对该材料层进行蚀刻，进而将微电路图案转移至光阻下层；最后，使用光阻剥除剂，将不必要的光阻层移除。

对光阻剥除剂来说，其高剥除能力和低腐蚀性是两样基本的要求。高剥除能力确保在冲洗之后没有光阻材料残留在基板上；而低腐蚀性则是避免光阻下层的金属或介电材料受损。此外，光阻剥除剂还可能额外要求高温稳定性、低挥发性、储存稳定性、低毒性等特性。

发明内容

本发明提供一种光阻脱除剂，可以在去除光阻的同时对光阻下层材料保持良好抗腐蚀效果。本发明另外提供使用此种光阻脱除剂移除基板上的光阻的电子元件的制造方法，以及由此制造方法制作的电子元件。

本发明的光阻脱除剂包括由式1表示的醇醚类化合物、选自式2表示的化合物、式3表示的化合物及其混合物的极性溶剂以及由式4表示的至少一种仲醇胺或至少一种叔醇胺：

其中

n为1～3的整数；R₁为C₁-C₄烷基；R₂各自独立，为氢或甲基；X₁和X₂分别为C₁-C₄亚烷基、C₂-C₄亚烯基、>R_x-COOH或>R_yOH，其中R_x为C₁-C₃连结基，R_y为C₁-C₄连结基；R₃为H、C₁-C₄烷基或-R_zOH，其中R_z为C₁-C₄连结基；R₄和R₅分别为C₁-C₄亚烷基，且Y₁和Y₂可分别为H或-OH，且R₃、Y₁和Y₂中的至少一者含有-OH。

在本发明的一种实施方式中，在光阻脱除剂中水的含量小于10重量％。

在本发明的一种实施方式中，光阻脱除剂包括叔醇胺、醇醚类化合物和极性溶剂，且在光阻脱除剂中水的含量小于10重量％。

在本发明的一种实施方式中，以光阻脱除剂的总量计，仲醇胺或叔醇胺占1重量％～20重量％，醇醚类化合物占25重量％～50重量％，极性溶剂占30重量％～70重量％。

在本发明的一种实施方式中，极性溶剂为碳酸丙烯酯、丙二醇或其混合物。

在本发明的一种实施方式中，仲醇胺为N-甲基乙醇胺(N-methyl ethanolamine，NMEA)、N-乙基乙醇胺(N-ethylethanolamine)或其混合物。

在本发明的一种实施方式中，叔醇胺为三乙醇胺(triethanolamine，TEA)、二甲基乙醇胺(dimethylethanolamine，DMEA)、1-(2-羟乙基)哌嗪(1-(2-hydroxyethyl)piperazine)或其混合物。

在本发明的一种实施方式中，醇醚类化合物为二乙二醇单丁醚(diethylene glycol monobutyl ether，BDG)、二丙二醇甲醚(dipropylene glycol methyl ether，DPM)或其混合物。

本发明的电子元件的制造方法包括使用前述光阻脱除剂移除形成在基板上的光阻，其中该基板上形成有包括铝、铜、钼或含铟氧化物的结构。

本发明的电子元件由前述的电子元件的制造方法制成。

基于上述，本发明提出一种光阻剥除剂，其通过仲醇胺或叔醇胺、醇醚类化合物以及二醇化合物或内酯化合物的交互作用，从而达到具有优良的光阻移除能力，且有效抑制材料腐蚀现象的效果。