[发明专利]半导体封装及制造该半导体封装的方法

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

具备信号线的柔性基板；

接合在所述柔性基板上且构造成经过金凸点或焊料凸点与所述信号线相连接的半导体器件；和

在所述柔性基板的至少一部分上和所述半导体器件的至少一部分上形成的散热层，其中所述散热层是通过以下方法形成：

用包含环氧氯丙烷双酚A树脂、改性环氧树脂、固化剂、固化促进剂和散热填料的散热涂料组合物涂覆所述半导体器件；和

使所述散热涂料组合物固化。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述散热涂料组合物包含大约1wt％至大约5wt％的所述环氧氯丙烷双酚A树脂、大约1wt％至大约5wt％的所述改性环氧树脂、大约1wt％至大约10wt％的所述固化剂、大约1wt％至大约5wt％的所述固化促进剂，并且其中所述散热涂料组合物的余量包含所述散热填料。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述改性环氧树脂包括选自端羧基丁腈橡胶(CTBN)改性环氧树脂、端氨基丁腈橡胶(ATBN)改性环氧树脂、丁腈橡胶(NBR)改性环氧树脂、丙烯酸类橡胶改性环氧树脂(ARMER)、氨基甲酸酯改性环氧树脂、和硅改性环氧树脂中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述固化剂包括酚醛清漆型酚醛树脂。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述固化促进剂包括咪唑类固化促进剂或者胺类固化促进剂。

6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述散热填料包含具有大约0.01μm至大约50μm的粒径的氧化铝。

7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述散热层包括：

在所述半导体器件的至少一个侧表面上和所述柔性基板上形成的第一散热层；和

在所述半导体器件的上表面的至少一部分上形成的第二散热层。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括设置在被限定在所述半导体器件与所述柔性基板之间的空间中的底部填充层。

9.根据权利要求8所述的半导体封装，其中所述底部填充层通过至少部分地使用所述散热组合物形成。

10.一种制造半导体封装的方法，包括：

将半导体器件接合在柔性基板上，其中所述柔性基板包括信号线并且所述半导体器件构造成经金凸点或焊料凸点连接到所述信号线；

通过将散热涂料组合物涂覆在所述半导体器件的至少一部分上以及与所述半导体器件相邻的所述柔性基板的上表面的至少一部分上，而形成散热层；和

使所述散热层固化，

其中所述散热涂料组合物包含环氧氯丙烷双酚A树脂、改性环氧树脂、固化剂、固化促进剂和散热填料。

11.根据权利要求10所述的制造半导体封装的方法，其中所述散热层的形成包括：

将所述散热涂料组合物涂覆在所述半导体器件的至少一个侧表面的至少一部分上以及所述柔性基板上；和

将所述散热涂料组合物涂覆在所述半导体器件的上表面的至少一部分上。

12.根据权利要求10所述的制造半导体封装的方法，其中所述散热层的形成包括：

将掩模定位在所述柔性基板上，其中所述掩模限定一个开口，并且其中所述开口使所述半导体器件和所述柔性基板的上表面的所述至少一部分暴露；和

利用刮刀以所述散热涂料组合物填充所述开口。

13.根据权利要求10所述的制造半导体封装的方法，还包括：

形成填充被限定在所述半导体器件与所述柔性基板之间的空间的底部填充层；和

使所述底部填充层固化。

14.根据权利要求13所述的制造半导体封装的方法，其中通过在所述半导体器件与所述柔性基板之间注入底部填充树脂，而形成所述底部填充层。

15.根据权利要求10所述的制造半导体封装的方法，还包括：在将所述半导体器件接合到所述柔性基板之前，通过将所述散热涂料组合物涂覆在所述柔性基板上所述半导体器件要接合的至少一个区域上，而形成底部填充层；

其中所述半导体器件接合成使得所述金凸点或所述焊料凸点穿过所述底部填充层连接到所述信号线。