[发明专利]基板清洗方法、基板清洗系统

说明书

本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序和剥离处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，向表面具有亲水性的基板供给含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使该处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。

技术领域

本发明公开的实施方式涉及一种基板清洗方法、基板清洗系统。

背景技术

以往，已知有用于去除附着于硅晶圆、化合物半导体晶圆等基板的微粒的基板清洗装置。

作为这种基板清洗装置，存在利用向基板的表面供给液体、气体等流体而产生的物理力来去除微粒的基板清洗装置(参照专利文献1)。另外，还已知有通过向基板的表面供给SC1等药液并利用供给来的药液所具有的化学作用(例如，蚀刻作用)来去除微粒的基板清洗装置(参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-318181号公报

专利文献2：日本特开2007-258462号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，若采用如专利文献1所述的技术那样利用物理力的方法，则难以去除粒径较小的微粒、聚合物等异物。

另外，若采用如专利文献2所述的技术那样利用药液的化学作用去除微粒的方法，则例如可能会因蚀刻作用等导致基板的基底膜被侵蚀。

本发明的实施方式的一形态的目的在于提供一种能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物的基板清洗方法、基板清洗系统。

用于解决问题的方案

本发明的实施方式的一形态的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序和剥离处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，向表面具有亲水性的基板供给含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使该处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。

发明的效果

采用实施方式的一形态，能够抑制基底膜被侵蚀并去除已附着于基板的粒径较小的异物。

附图说明

图1A是第1实施方式的基板清洗方法的说明图。

图1B是第1实施方式的基板清洗方法的说明图。

图1C是第1实施方式的基板清洗方法的说明图。

图1D是第1实施方式的基板清洗方法的说明图。

图1E是第1实施方式的基板清洗方法的说明图。

图2是表示第1实施方式的基板清洗系统的结构的示意图。

图3是表示第1实施方式的基板清洗装置的结构的示意图。

图4是表示第1实施方式的基板清洗装置所执行的基板清洗处理的处理顺序的流程图。

图5A是表示本清洗方法和双流体清洗的比较结果的图。

图5B是表示本清洗方法和双流体清洗的比较结果的图。