[发明专利]驱动非易失性存储器装置的方法

权利要求书

1.一种驱动非易失性存储器装置的方法，包括步骤：

通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使所述非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，

使所述非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及

通过关于所述非易失性存储器单元执行第二编程循环使所述非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，关于所述非易失性存储器单元执行所述第一编程循环的步骤包括：利用第一组编程脉冲对所述非易失性存储器单元进行编程，所述第一组编程脉冲包括第一初始编程脉冲和第一最终编程脉冲，并且

关于所述非易失性存储器单元执行第二编程循环的步骤包括：利用与所述第一组编程脉冲不同的第二组编程脉冲对所述非易失性存储器单元进行编程，所述第二组编程脉冲包括第二初始编程脉冲和第二最终编程脉冲。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，利用第一增量步幅通过第一增量步脉冲编程限定所述第一组编程脉冲，并且

利用与所述第一增量步幅不同的第二增量步幅通过第二增量步脉冲编程限定第二组编程脉冲。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一增量步幅大于所述第二增量步幅。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二初始编程脉冲的电压电平小于所述第一最终编程脉冲的电压电平。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二初始编程脉冲的电压电平小于所述第一初始编程脉冲的电压电平。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的逆向漂移的步骤包括：对所述非易失性存储器单元执行弱擦除操作。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的正向漂移产生所述非易失性存储器单元的第一阈电压分布，所述第一阈电压分布具有第一宽度和第一平均阈电压电平，并且

所述非易失性存储器单元的阈电压的再次正向漂移产生所述非易失性存储器单元的第二阈电压分布，所述第二阈电压分布具有小于所述第一宽度的第二宽度和低于所述第一平均阈电压电平的第二平均阈电压电平。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非易失性存储器单元的阈电压的正向漂移以及所述非易失性存储器单元的阈电压的再次正向漂移中的每一个使所述非易失性存储器单元的阈电压沿着正向移动，并且

所述非易失性存储器单元的阈电压的逆向漂移使所述非易失性存储器单元的阈电压沿着负向移动。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述非易失性存储器单元中的至少一个非易失性存储器单元是电荷撷取闪存存储器单元。

11.一种驱动非易失性存储器装置的方法，所述非易失性存储器装置包括共同连接至第一字线的第一非易失性存储器单元和共同连接至第二字线的第二非易失性存储器单元，所述方法包括步骤：

通过关于所述第一非易失性存储器单元执行第一编程循环使所述第一非易失性存储器单元的阈电压正向漂移第一等级；然后，

使所述第一非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移第二等级；以及

通过关于所述第一非易失性存储器单元执行第二编程循环使所述第一非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移第三等级。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括步骤：

通过关于所述第二非易失性存储器单元执行第三编程循环使所述第二非易失性存储器单元的阈电压正向漂移第四等级；然后，

使所述第二非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移第五等级；以及

通过关于所述第二非易失性存储器单元执行第四编程循环使所述第二非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移第六等级。