[发明专利]驱动非易失性存储器装置的方法

说明书

本发明公开了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年11月11日提交的韩国专利申请No.10-2013-0136351的优先权，该申请的主题内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思整体涉及一种驱动非易失性存储器装置的方法。

背景技术

特定非易失性存储器装置和系统中被编程的非易失性存储器单元的阈电压往往随时间而变化。这种不利结果有许多原因与环境因素、操作因素和用于制造非易失性存储器单元的材料的基本特性有关。

被编程的非易失性存储器单元的阈电压明显地随时间变化是不可接受的，这是因为所得“改变的”阈电压会被错误地解读，从而导致读数据错误。

发明内容

在一个实施例中，本发明构思提供了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该方法包括步骤：通过关于非易失性存储器单元执行第一编程循环使非易失性存储器单元的阈电压正向漂移；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及通过关于非易失性存储器单元执行第二编程循环使非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移。

在另一实施例中，本发明构思提供了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该非易失性存储器装置包括共同连接至第一字线的第一非易失性存储器单元和共同连接至第二字线的第二非易失性存储器单元。该方法包括步骤：通过关于第一非易失性存储器单元执行第一编程循环使第一非易失性存储器单元的阈电压正向漂移第一等级；然后，使第一非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移第二等级；以及通过关于第一非易失性存储器单元执行第二编程循环使第一非易失性存储器单元的阈电压再次正向漂移第三等级。

在另一实施例中，本发明构思提供了一种驱动非易失性存储器装置的方法，该非易失性存储器装置包括被配置为要根据包括擦除电压分布和最高电压分布的多个阈电压分布进行编程的非易失性存储器单元，其中，擦除电压分布与最高电压分布之间的电压范围限定了非易失性存储器单元的阈电压窗口。该方法包括步骤：关于非易失性存储器单元利用第一组编程脉冲执行第一编程循环以产生第一阈电压窗口；然后，使非易失性存储器单元的阈电压逆向漂移；以及关于非易失性存储器单元利用与第一组编程脉冲不同的第二组编程脉冲执行第二编程循环，以产生比第一阈电压窗口窄的第二阈电压窗口。

在例如电荷撷取闪存(charge trap flash，CTF)装置的闪速存储器装置中，在存储器层(例如，氮化物层)中俘获的电子可随时间不利地被重排。也就是说，期望阈电压分布会随时间而变化。本发明构思的特定实施例有效地解决了这个潜在问题。在以下描述中将在某种程度上阐述本发明构思的其他优点、目的和特征，并且通过对下文的研究或者通过本发明构思的实施本领域普通技术人员将将在某种程度上清楚或习得这些优点、目的和特征。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，本发明构思的以上和其它目的、特点和优点将更加清楚，其中：

图1是示出的可根据本发明构思的实施例操作的通用存储装置的框图；

图2是在一个示例中进一步示出图1的非易失性存储器装置1100的框图；

图3是在一个示例中进一步示出图1的存储器控制器1200的框图；

图4是概括根据本发明构思的实施例的驱动非易失性存储器装置的方法的流程图；

图5包括(a)、(b)和(c)，其示出了由于图4的驱动方法导致的阈电压分布漂移；