[发明专利]一种电源钳位静电放电保护电路

权利要求书

1.一种电源钳位静电放电保护电路，包括瞬态触发模块、钳位晶体管开启模块、钳位晶体管关断模块以及钳位晶体管；所述钳位晶体管开启模块包括PMOS晶体管M_P31，

其特征在于，所述瞬态触发模块的电阻用PMOS晶体管M_R代替，所述瞬态触发模块还包括电阻R₁、电流镜，所述PMOS晶体管M_R的栅极通过电阻R₁接地，所述电流镜连接于地和所述瞬态触发模块的电容之间；

所述钳位晶体管开启模块还包括PMOS晶体管M_P32，所述PMOS晶体管M_P32的源极连接电源，其栅极连接所述PMOS晶体管M_R的漏极，所述PMOS晶体管M_P32的漏极连接所述PMOS晶体管M_P31的源极；

所述钳位晶体管关断模块包括电流镜，所述电流镜连接于所述钳位晶体管关断模块的电容与地之间。

2.根据权利要求1所述的一种电源钳位静电放电保护电路，其特征在于，所述电流镜包括NMOS晶体管M₁₁、M₁₂；所述瞬态触发模块还包括PMOS晶体管C₁；

所述PMOS晶体管M_R的源极与电源管脚VDD相连，所述PMOS晶体管M_R的栅极与所述电阻R₁的一端相连，所述电阻R₁的另一端与地相连，所述PMOS晶体管M_R的漏极与所述PMOS晶体管C₁的源极、漏极以及衬底相连，所述NMOS晶体管M₁₂的栅极与所述NMOS晶体管M₁₁的栅极、所述NMOS晶体管M₁₁的漏极以及所述PMOS晶体管C₁的栅极相连，所述NMOS晶体管M₁₂的漏极和所述PMOS晶体管C₁的衬底相连，改NMOS晶体管M₁₁和M₁₂的漏极均接地。

3.根据权利要求2所述的一种电源钳位静电放电保护电路，其特征在于，所述PMOS晶体管C1等效为电容。