[发明专利]一种可溶性并噻吩衍生物及其制备和应用

权利要求书

1.一种可溶性并噻吩衍生物，其特征在于：衍生物如式（1）结构所示，

式（1）

式（1）中，R为三甲基硅基、三异丙基硅基。

2.一种权利要求1所述的可溶性并噻吩衍生物的制备方法，其特征在于：将3-溴噻吩经两步锂化反应生成并三噻吩；然后将所得并三噻吩产物进行溴化反应；反应后与带取代基的端炔化合物进行Sonogashira偶联反应，得到具有式（1）结构的可溶性并噻吩衍生物；

所述锂化反应是，将3-溴噻吩在溶剂的存在下于-78℃～35℃进行锂化反应6～24小时；

所述锂化反应的产物与溴代丁内酰亚胺以1:1～1:3的摩尔比在溶剂的存在下于-10℃～25℃进行溴化反应6～24小时；

所述溴化反应的产物与带取代基的端炔化合物以1:2～1:6的摩尔比在有机钯催化剂、碘化亚铜、和溶剂的存在下，于20℃～40℃进行Sonogashira反应12～36小时；有机钯催化剂添加量为带取代基的端炔化合物物质的量的1%～20%，碘化亚铜添加量为带取代基的端炔化合物物质的量的1%～20%；

所述各反应的溶剂为甲苯、四氢呋喃、二氯甲烷中一种或几种；

所述有机钯催化剂为四三苯基膦钯、醋酸钯、三（二亚苄基丙酮）二钯、双三苯基膦二氯化钯中一种或几种。

3.一种有机薄膜晶体管用材料，其特征在于:所述有机薄膜晶体管用材料为权利要求1所述的可溶性并噻吩衍生物。

4.按权利要求3所述的有机薄膜晶体管用材料，其特征在于:所述可溶性并噻吩衍生物作为旋涂用材料。

5.一种有机薄膜晶体管，其特征在于：有机薄膜晶体管为基板、设置有栅极的介电层和两端分别设置有漏电极和源电极的半导体层，所述半导体层为权利要求1所示的可溶性并噻吩衍生物；

其中，所述半导体层复合于所述介电层上，所述介电层复合于所述基板上：或者所述介电层复合于所述半导体层上，所述半导体层复合于所述基板上。

6.按权利要求5所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述半导体层是将权利要求1所示的可溶性并噻吩衍生物由有机溶剂溶解，而后经退火、沉积电极，即得到半导体层。

7.按权利要求6所述的有机薄膜晶体管，其特征在于：所述有机溶剂为三氯甲烷、三氯乙烷、氯苯、二氯苯、三氯苯、氯代甲苯、甲苯、二甲苯、苯甲醚、四氢萘或三甲苯。