[发明专利]一种近红外发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410648043.0 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104409600A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 叶辉;方旭;王哲玮;张诗雨 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种近红外发光器件，其特征在于，包括具有锗量子点的硅片以及位于所述硅片上的纳米柱阵列，所述纳米柱阵列中的纳米柱阵列为透明导电材料制备得到，所述纳米柱的高度为50～500nm。
2.如权利要求1所述的近红外发光器件，其特征在于，所述纳米柱的高度为50～100nm。
3.如权利要求1或2所述的近红外发光器件，其特征在于，所述纳米柱为ITO纳米柱。
4.如权利要求3所述的近红外发光器件，其特征在于，所述ITO纳米柱的直径为30～100nm。
5.如权利要求4所述的近红外发光器件，其特征在于，相邻ITO纳米柱之间的距离为40～120nm。
6.如权利要求1～5中任意一项所述的近红外发光器件的制备方法，其特征在于，在具有锗量子点的硅片制备纳米柱阵列，具体包括如下步骤：
(1)在硅片上依次形成透明导电薄膜、SiO2薄膜、多孔氧化铝薄膜；
(2)在多孔氧化铝薄膜的孔洞中填充金属；
(3)去除多孔氧化铝薄膜，然后以金属作为保护膜除去无保护膜覆盖的透明导电薄膜和SiO2薄膜；
(4)除去有保护膜覆盖的SiO2薄膜使保护膜与透明导电薄膜脱离，即在硅片上形成纳米柱阵列。
7.如权利要求6所述的近红外发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)通过采用原子层沉积法在多孔氧化铝薄膜沉积金属薄膜以在多孔氧化铝薄膜的孔洞中填充金属。
8.如权利要求7所述的近红外发光器件的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中填充的金属的厚度小于或等于多孔氧化铝薄膜的厚度。
9.如权利要求8中所述的近红外发光器件的制备方法，其特征在于，所述多孔氧化铝薄膜的厚度是400～600nm。
10.如权利要求9所述的近红外发光器件的制备方法，其特征在于，所述SiO2薄膜的厚度为30～70nm。
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