[发明专利]一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410653445.X 申请日: 2014-11-17
公开(公告)号: CN104382673A 公开(公告)日: 2015-03-04
发明(设计)人: 林全愧;韩月梅;陈浩 申请(专利权)人: 温州医科大学
主分类号: A61F2/16 分类号: A61F2/16
代理公司: 温州金瓯专利事务所(普通合伙) 33237 代理人: 王坚强
地址: 325000 浙江省温州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 表面 笼状聚倍半硅氧烷 修饰 人工 晶状体 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体,其特征在于:所述人工晶状体表面接枝有一层笼状聚倍半硅氧烷(POSS)。

2. 一种权利要求1所述表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)取干净的人工晶状体,并通过表面预处理获得化学活性表面;

 (2)将通过表面预处理后的人工晶状体与含可反应性化学基团的POSS化学接枝,获得表面POSS修饰的人工晶状体。

3.根据权利要求2所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,其特征在于:所述的步骤(1)中表面预处理方法为表面硅烷偶联剂处理,表面多巴胺自聚合处理,表面碱溶液浸处理中的一种。

4.根据权利要求2所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,其特征在于:所述的步骤(1)中化学活性表面为硅烷偶联剂处理获得的胺基化表面,多巴胺自聚合处理的聚多巴胺表面,NaOH或KOH碱溶液浸处理的羧基化表面中的一种。

5.根据权利要求2所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,其特征在于:所述的步骤(2)中含可反应性化学基团的POSS为含胺基的POSS,含羧基的POSS,含巯基的POSS中的一种。

6. 根据权利要求2所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,其特征在于:所述的步骤(2)中化学接枝方法为碳二亚胺/N-羟基琥珀酰亚胺(DCC/NHS)化学偶联方法,聚多巴胺与胺基或巯基的偶联反应中的一种。

7. 根据权利要求2所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,其特征在于:所述的人工晶状体为硬性人工晶状体或软性可折叠人工晶状体,所述硬性人工晶状体的制备材料为聚甲基丙烯酸甲酯,所述软性可折叠人工晶状体的制备材料为硅橡胶或聚甲基丙烯酸羟乙酯水凝胶。

8. 根据权利要求3所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,其特征在于:所述的硅烷偶联剂为γ-胺基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷或γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷中的一种。

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