[发明专利]一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体及其制备方法有效
申请号: | 201410653445.X | 申请日: | 2014-11-17 |
公开(公告)号: | CN104382673A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 林全愧;韩月梅;陈浩 | 申请(专利权)人: | 温州医科大学 |
主分类号: | A61F2/16 | 分类号: | A61F2/16 |
代理公司: | 温州金瓯专利事务所(普通合伙) 33237 | 代理人: | 王坚强 |
地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 表面 笼状聚倍半硅氧烷 修饰 人工 晶状体 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及医用植入材料及器械表面修饰领域,具体涉及一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰人工晶状体及其制备方法。
背景技术
白内障一种世界性的主要致盲眼病。目前临床治疗主要采用超声乳化联合人工晶状体植入术。然而目前广泛使用的聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸羟乙酯水凝胶和硅橡胶等人工晶状体在植入后人眼后普遍存在异物反应。人工晶状体植入后晶状体囊膜再次混浊,亦称后发性白内障,是人工晶状体植入术后严重影响患者视力恢复的主要并发症。后发性白内障不仅严重影响术后的视力恢复,而且需要二次手术,增加病人的经济负担。因此,开发具有高生物相容性的人工晶状体迫在眉睫。
现有研究认为:超声乳化手术过程中对晶状体表层晶状体上皮细胞的破坏刺激及不完全去除,使其在术后人工晶状体材料表面粘附增生是导致晶状体囊膜再次发生浑浊的主要原因。为降低人工晶状体植入后后发性白内障的发生,通常通过药物方法阻断晶状体上皮细胞的增殖,并已有将药物负载于人工晶状体表面的专利。如:中国专利CN101053680A“防止后发障形成的具抗增殖药涂层的人工晶体”,中国专利CN101036804A“纳米氟尿嘧啶涂层人工晶体及其制备方法”,中国专利CN200973766Y“防止后发性白内障的人工晶状体”,中国专利CN2531755Y“缓释剂携带型人工晶体”及中国专利CN200810061511“表面抗转化生长因子β2抗体膜的人工晶状体”等,均是在人工晶状体表面或赤道部外侧或袢等部位负载抗增殖类化学药物或抗体药物来达到抑制晶状体上皮细胞增殖的目的。也有专利通过人工晶状体材料表面的修饰,获得亲水性表面,抑制晶状体上皮细胞粘附,从而降低后发性白内障的发生。如中国专利CN 103405807 A“一种表面梳状聚合物亲水改性的人工晶状体及其制备方法”。
发明内容
本发明的目的是通过人工晶状体材料表面修饰笼状聚倍半硅氧烷(POSS),获得纳米笼状聚倍半硅氧烷修饰的微纳复合材料表面,从而大大提高材料的疏水性,降低人工晶状体植入后晶状体细胞的粘附,从而降低后发性白内障的发生率。
本发明采用的技术解决方案是:一种表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体,所述人工晶状体表面接枝有一层笼状聚倍半硅氧烷(POSS)。
所述表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,包括以下步骤:
(1)取干净的人工晶状体,并通过表面预处理获得化学活性表面;
(2)将通过表面预处理后的人工晶状体与含可反应性化学基团的POSS化学接枝,获得表面POSS修饰的人工晶状体;
所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,所述的步骤(1)中表面预处理方法为表面硅烷偶联剂处理,表面多巴胺自聚合处理,表面碱溶液浸处理中的一种。
所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,所述的步骤(1)中化学活性表面为硅烷偶联剂处理获得的胺基化表面,多巴胺自聚合处理的聚多巴胺表面,NaOH或KOH碱溶液浸处理的羧基化表面中的一种。
所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,所述的步骤(2)中含可反应性化学基团的POSS为含胺基的POSS,含羧基的POSS,含巯基的POSS中的一种。
所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,所述的步骤(2)中化学接枝方法为碳二亚胺/N-羟基琥珀酰亚胺(DCC/NHS)化学偶联方法,聚多巴胺与胺基或巯基的偶联反应中的一种。
所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,所述的人工晶状体为硬性人工晶状体或软性可折叠人工晶状体,所述硬性人工晶状体的制备材料为聚甲基丙烯酸甲酯,所述软性可折叠人工晶状体的制备材料为硅橡胶或聚甲基丙烯酸羟乙酯水凝胶。
所述的表面笼状聚倍半硅氧烷修饰的人工晶状体的制备方法,所述的硅烷偶联剂为γ-胺基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷或γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷中的一种。
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