[发明专利]一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒有效
| 申请号： | 201410654165.0 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104328485A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 娄中士;张颂越;孙毅;王彦君;由佰玲;崔敏;乔柳 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 直拉硅单晶 生长 速度 新型 导流 | ||
1.一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒，其特征在于：包括内筒(1)、外筒(3)和保温层(5)；
所述内筒(1)包括内筒上部(11)和内筒下部(12)且内筒上部(11)和内筒下部(12)连接构成内筒(1)；
所述内筒(1)为套筒状结构且所述内筒(1)下端直径小于上端直径；所述外筒(3)为套筒状结构且所述外筒(3)下端直径小于上端直径；所述内筒(1)下端直径小于外筒(3)下端直径，所述内筒(1)上端直径小于外筒(3)上端直径；
所述内筒(1)套装在外筒(3)内部，且内筒下部(12)与外筒(3)连接；所述保温层(5)置于由内筒(1)和外筒(3)连接后构成的腔体内部；
所述内筒上部(11)材料为高辐射系数的镜面材料；
所述内筒下部(12)材料为低辐射系数的非镜面材料；
所述外筒(3)材料为低辐射系数的镜面材料。
2.一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒，其特征在于：包括内筒(1)、内筒筒罩(2)、外筒(3)、外筒筒罩(4)和保温层(5)；
所述内筒(1)包括内筒上部(11)和内筒下部(12)且内筒上部(11)和内筒下部(12)连接构成内筒(1)；
所述内筒筒罩(2)包括内筒上部筒罩(21)和内筒下部筒罩(22)；
所述内筒(1)为套筒状结构且所述内筒(1)下端直径小于上端直径；所述外筒(3)为套筒状结构且所述外筒(3)下端直径小于上端直径；所述内筒(1)下端直径小于外筒(3)下端直径，所述内筒(1)上端直径小于外筒(3)上端直径；
所述内筒(1)套装在外筒(3)内部，且内筒下部(12)与外筒(3)连接；所述保温层(5)置于由内筒(1)和外筒(3)连接后构成的腔体内部；所述内筒上部(11)被内筒上部筒罩(21)覆盖且紧密贴合，所述内筒下部(12)被内筒下部筒罩(22)覆盖且紧密贴合，所述外筒(3)被外筒筒罩(4)覆盖且紧密贴合。
所述内筒上部筒罩(21)材料为高辐射系数的镜面材料；
所述内筒下部筒罩(22)材料为低辐射系数的非镜面材料；
所述外筒筒罩(4)材料为低辐射系数的镜面材料。
3.根据权利要求1或2所述的一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒，其特征在于：所述内筒下部(12)高度与内筒上部(11)高度的比值为0.3-1.5。
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