[发明专利]一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒

说明书

技术领域

本发明创造属于硅单晶制造装置领域，尤其是涉及一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒。

背景技术

直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术，而随着光伏产业的不断发展，在保证产品质量的前提下需要进一步提高生产效率，以降低成本。提高生产效率最直接的方式为提高晶体等径生长速度，缩短拉晶时间。实际生产中，首先需增加晶体轴向温度梯度以增加结晶潜热的释放，再降低结晶界面处熔体内轴向温度梯度，以达到提高晶体等径生长速度，缩短拉晶时间的生产目的。

发明内容

本发明创造要解决的问题是提供一种能够提高直拉硅生长速度的新型导流筒。

为解决上述技术问题，本发明创造采用的技术方案是：一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒，包括内筒、外筒和保温层；

所述内筒包括内筒上部和内筒下部且内筒上部和内筒下部连接构成内筒；

所述内筒为套筒状结构且所述内筒下端直径小于上端直径；所述外筒为套筒状结构且所述外筒下端直径小于上端直径；所述内筒下端直径小于外筒下端直径，所述内筒上端直径小于外筒上端直径；

所述内筒套装在外筒内部，且内筒下部与外筒连接；所述保温层置于由内筒和外筒连接后构成的腔体内部；

所述内筒上部材料为高辐射系数的镜面材料；

所述内筒下部材料为低辐射系数的非镜面材料；

所述外筒材料为低辐射系数的镜面材料。

一种提高直拉硅单晶生长速度的新型导流筒，包括内筒、内筒筒罩、外筒、外筒筒罩和保温层；

所述内筒包括内筒上部和内筒下部且内筒上部和内筒下部连接构成内筒；

所述内筒筒罩包括内筒上部筒罩和内筒下部筒罩；

所述内筒为套筒状结构且所述内筒下端直径小于上端直径；所述外筒为套筒状结构且所述外筒下端直径小于上端直径；所述内筒下端直径小于外筒下端直径，所述内筒上端直径小于外筒上端直径；

所述内筒套装在外筒内部，且内筒下部与外筒连接；所述保温层置于由内筒和外筒连接后构成的腔体内部；所述内筒上部被内筒上部筒罩覆盖且紧密贴合，所述内筒下部被内筒下部筒罩覆盖且紧密贴合，所述外筒被外筒筒罩覆盖且紧密贴合。

所述内筒上部筒罩材料为高辐射系数的镜面材料；

所述内筒下部筒罩材料为低辐射系数的非镜面材料；

所述外筒筒罩材料为低辐射系数的镜面材料。

优选地，所述内筒下部高度与内筒上部高度的比值为0.3-1.5。

本发明创造具有的优点和积极效果是：本方案所述的内筒(内筒筒罩)上部是高辐射系数材料且表面为镜面反射面，下部为低吸收系数非镜面结构的设计，一方面可减少内筒下部对晶体的辐射热，同时增加内筒上部向外辐射和反射的热量，加快结晶潜热的释放，进而提高拉速，另一方面，外筒(外筒筒罩)材料选用低辐射系数的镜面材料，减少导流筒对加热器或坩埚边缘的热量吸收、降低导流筒外筒温度、增加晶体表面的辐射散热，进而提高拉速，降低功耗，提高效率，节约成本。

附图说明

图1是第一实施例结构示意图；

图2是第二实施例结构示意图；

图中：1-内筒，11-内筒上部，12-内筒下部，2-内筒筒罩，21-内筒上部筒罩，22-内筒下部筒罩，3-外筒，4-外筒筒罩，5-保温层。

具体实施方式

下面结合附图对本发明创造的具体实施例做详细说明。

第一实施例：