[发明专利]嵌入式锗硅的形成方法在审
| 申请号： | 201410654446.6 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105633020A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
在衬底的第一区域上形成栅极；
在所述栅极的两侧形成第一侧墙；
在所述第一侧墙外侧形成第二侧墙；
在所述第二侧墙两侧的源区和漏区上形成应力调节层；以及
进行高温氧化过程，使得所述应力调节层中的原子至少部分地向所述应力 调节层、所述第二侧墙以及所述第一侧墙下的所述衬底中移动，从而形成嵌入 式应力调节层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底选自以下材料中的 任一种：单晶硅、经掺杂的单晶硅、绝缘体上的硅。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力调节层是SiGe层。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述SiGe层是通过外延生长 形成的；所述SiGe层的厚度大于200埃。
5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述SiGe层中的Ge浓度大 于10％。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述应力调节层是SiC层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二侧墙的宽度大于50 埃。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高温氧化过程的温度为 500℃至1200℃，氧化时间为1分钟至30分钟，氧气流量为500sccm至 1000sccm。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成嵌入式应力调 节层之后去除所述第二侧墙。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述栅极之 前在衬底上形成浅槽隔离沟槽结构，从而隔离出所述第一区域和第二区域。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述第二侧 墙后，沉积掩膜层，并选择性地去除所述第一区域上的掩模层。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述掩膜层是氮化硅层。
13.一种半导体器件，包括通过权利要求1至13中的任一项所述的方法 制造的结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
