[发明专利]与集成电路工艺兼容的电容结构及其制备方法

权利要求书

1.一种与集成电路工艺兼容的电容结构的制备方法，在一表面从下到上依次具有绝缘介质层和牺牲层的半导体衬底上进行制备；其特征在于，包括以下步骤：

步骤01：图形化所述绝缘介质层和所述牺牲层，在所述绝缘介质层和所述牺牲层中形成沟槽；

步骤02：在所述沟槽中沉积第一金属层；

步骤03：在所述第一金属层表面沉积电容介质层；

步骤04：在所述电容介质层表面沉积第二金属层；

步骤05：对完成所述步骤04的所述半导体衬底表面进行化学机械抛光，直至露出所述绝缘介质层的表面。

2.根据权利要求1所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述步骤01中，在形成所述沟槽之后，还包括：对所述沟槽底部拐角进行圆化处理。

3.根据权利要求1所述的电容结构的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积法沉积所述第一金属层，所述电容介质层或所述第二金属层。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述步骤01中，所述沟槽之间的间距为10-1000nm，所述沟槽的宽度为10-1000nm，所述沟槽的深度为10-5000nm。

5.根据权利要求4所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述步骤02中，所述第一金属层的材料为Ta，TaN，Ti，TiN或其复合层，所述第一金属层的厚度为2-1000nm，且小于1000nm。

6.根据权利要求4所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述步骤03中，所述电容介质层的厚度为2-1000nm，且小于1000nm。

7.根据权利要求4所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述步骤04中，所述第二金属层的厚度为2-1000nm，且小于1000nm。

8.一种采用权利要求1所述的制备方法所制备的与集成电路工艺兼容的电容结构。

9.根据权利要求8所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构中的所述第一金属层的材料为Ta，TaN，Ti，TiN或其复合层，所述第一金属层的厚度为2-1000nm，且小于1000nm。

10.根据权利要求9所述的电容结构，其特征在于，所述电容结构中的所述电容介质层的厚度为2-1000nm，且小于1000nm；所述电容结构中的所述第二金属层的厚度为2-1000nm，且小于1000nm。