[发明专利]一种闪存器件及其编程方法

权利要求书

1.一种闪存器件，其特征在于，包括：

衬底，其为呈圆柱体结构，所述衬底包括中间部分以及位于中间部分两侧的两个端部，所述端部分别为源端和漏端；

栅极，包覆于所述衬底的中间部分，所述栅极与所述衬底之间设有第一绝缘层；其中，所述栅极包括并列的控制栅以及浮栅，所述控制栅与所述浮栅之间形成有第二绝缘层；当所述闪存器件进行编程操作时，所述控制栅施加的电压值与所述闪存器件的阈值电压值相等，所述浮栅施加的电压值大于所述闪存器件的阈值电压值，所述漏端施加电压范围为3V～4V，所述衬底施加电压范围为5V～6V，从而使得在控制栅下方衬底区域感应出较薄沟道电子层，在浮栅下方衬底区域感应出较厚沟道电子层，衬底上的高电压加速较薄沟道电子层的电子，产生具有足够能量的热电子并在浮栅高电压作用下注入浮栅完成编译；

接触线，分别从两个端部引出，用于施加衬底电压。

2.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述第一绝缘层的材质为二氧化硅，厚度为2nm～3nm；所述第二绝缘层的材质为二氧化硅，长度为2.5nm～3.5nm。

3.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述浮栅的材质为多晶硅，其高度为60～80nm，长度为30～50nm。

4.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述控制栅的材质为多晶硅，其高度为80～95nm，长度为5～15nm。

5.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述接触线的材质为钨。

6.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述控制栅施加的电压值与所述闪存器件的阈值电压值相等，所述浮栅施加的电压值为所述闪存器件的阈值电压值的两倍，所述漏端施加电压为4V，所述衬底施加电压为5V。

7.如权利要求1所述的闪存器件，其特征在于，所述源端施加0V电压。