[发明专利]一种阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，自下而上依次包括第一走线、第一绝缘层和第二走线，所述第二走线与所述第一走线交错，其中，所述第二走线的交叠部分分成多支线，各支线之间有空隙、呈梳齿状结构，至少一支线相对于其余各支线更靠近所述第一走线。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少一支线下方的第一绝缘层的厚度小于其余各支线下方的第一绝缘层的厚度。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层和部分支线之间还设置有半导体结构，以使得至少一支线相对于其余各支线更靠近所述第一走线。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述第一绝缘层和所述第二走线之间的第二绝缘层，所述第二绝缘层部分镂空且镂空区域对应第二走线的至少一支线，以使得至少一支线相对于其余各支线更靠近所述第一走线。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二走线的各支线之下设置有半导体结构。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体结构和所述第二走线的各支线在同一构图工艺中形成。

7.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

形成第一走线；

在所述第一走线之上形成第一绝缘层；

形成高低不一的表面；

在所述高低不一的表面之上形成第二走线，其中，所述第二走线与所述第一走线交错，所述第二走线的交叠部分分成多支线，各支线之间有空隙、呈梳齿状结构，所述高低不一的表面使得至少一支线相对于其余各支线更靠近所述第一走线。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成高低不一的表面包括：

对所述第一绝缘层的表面进行刻蚀，形成凹槽；

所述在所述高低不一的表面之上形成第二走线包括：

形成第二走线，所述第二走线的部分支线位于所述凹槽内，以使得至少一支线相对于其余各支线更靠近所述第一走线。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成高低不一的表面包括：

在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层；

对所述第二绝缘层的表面进行刻蚀，使得所述第二绝缘层部分镂空，以形成高低不一的表面；

所述在所述高低不一的表面之上形成第二走线包括：

形成第二走线，所述第二走线的部分支线位于所述第二绝缘层的镂空区域内，以使得至少一支线相对于其余各支线更靠近所述第一走线。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成高低不一的表面包括：

在所述第一绝缘层的表面形成半导体结构，以形成高低不一的表面；

所述在所述高低不一的表面之上形成第二走线包括：

形成第二走线，所述第二走线的部分支线位于所述半导体结构之上，以使得至少一支线相对于其余各支线更靠近所述第一走线。

11.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成高低不一的表面包括：

在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层；

对所述第二绝缘层进行构图工艺，使得所述第二绝缘层部分镂空；

在所述第二绝缘层之上形成半导体结构，所述半导体结构位于所述镂空旁，以形成高低不一的表面；

所述在所述高低不一的表面之上形成第二走线包括：

形成第二走线，所述第二走线的部分支线位于所述镂空内，其余支线位于所述半导体结构之上，以使得至少一支线相对于其余各支线更靠近所述第一走线。

12.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成高低不一的表面包括：

对所述第一绝缘层的表面进行刻蚀，形成凹槽；

在所述第一绝缘层之上形成半导体层，凹槽使得所述半导体层的表面高低不一；

所述在所述高低不一的表面之上形成第二走线包括：

在所述表面高低不一的半导体层之上形成金属层；

在同一次构图工艺中，对所述半导体层和所述金属层进行刻蚀，形成半导体结构的图形以及所述第二走线的图形，所述第二走线的部分支线位于凹槽对应的半导体结构上，以使得至少一支线相对于其余各支线更靠近所述第一走线。

13.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成高低不一的表面包括：

对所述第一绝缘层的表面进行刻蚀，形成凹槽；

在所述第一绝缘层之上形成半导体层，并对所述半导体层进行构图工艺，形成半导体结构，所述半导体结构位于所述凹槽旁，以形成高低不一的表面；

所述在所述高低不一的表面之上形成第二走线包括：

形成第二走线，所述第二走线的部分支线位于所述凹槽内，其余支线位于所述半导体结构上，以使得至少一支线相对于其余各支线更靠近所述第一走线。