[发明专利]薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

一栅极；

一栅绝缘层，覆盖该栅极；

一半导体层，位于该栅绝缘层上且配置在该栅极上方；以及

一源极与一漏极，配置在该栅绝缘层上且分别与该半导体层电性连接，

其中，该源极与该漏极分别位于不同的膜层，该源极与该半导体层之间具有一第一接触阻抗，该漏极与该半导体层之间具有一第二接触阻抗，且该第一接触阻抗小于该第二接触阻抗。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括一绝缘层，配置于该源极与该半导体层之间且具有暴露出该半导体层的一接触孔，其中：

该源极填入该绝缘层的该接触孔而与该半导体层电性连接，且

该漏极配置于该半导体层与该栅绝缘层之间。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层具有面向该栅绝缘层的一底面、背向该底面的一顶面以及连接该底面与该顶面的至少一侧面，该绝缘层的该接触孔暴露出该半导体层的该顶面，且该绝缘层覆盖该半导体层的该侧面。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层具有面向该栅绝缘层的一底面、背向该底面的一顶面以及连接该底面与该顶面的至少一侧面，该绝缘层的该接触孔暴露出该半导体层的该顶面以及该至少一侧面。

5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，该漏极具有面向该栅绝缘层的一底面、背向该底面的一顶面以及连接该底面与该顶面的至少一侧面，该半导体层覆盖该漏极的该顶面以及该至少一侧面。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括一绝缘层，配置于该源极与该半导体层之间且具有暴露出该半导体层的一接触孔，其中：

该源极填入该绝缘层的该接触孔而与该半导体层电性连接，且

该漏极配置于该绝缘层与该半导体层之间。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层具有面向该栅绝缘层的一底面、背向该底面的一顶面以及连接该底面与该顶面的至少一侧面，该绝缘层的该接触孔暴露出该半导体层的该顶面，且该绝缘层覆盖该半导体层的该侧面。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层具有面向该栅绝缘层的一底面、背向该底面的一顶面以及连接该底面与该顶面的至少一侧面，该绝缘层的该接触孔暴露出该半导体层的该顶面以及该至少一侧面。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层具有面向该栅绝缘层的一底面、背向该底面的一顶面以及连接该底面与该顶面的至少一侧面，该漏极覆盖该半导体层的该顶面以及该至少一侧面。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：

该半导体层具有面向该栅绝缘层的一底面、背向该底面的一顶面以及连接该底面与该顶面的至少一侧面，该源极覆盖该半导体层的该顶面以及该至少一侧面，且

该漏极具有面向该栅绝缘层的一底面、背向该底面的一顶面以及连接该底面与该顶面的至少一侧面，该半导体层覆盖该漏极的该顶面以及该至少一侧面。