[发明专利]薄膜晶体管

说明书

技术领域

本发明是有关于一种电子元件，且特别是有关于一种薄膜晶体管。

背景技术

随着科技的发展，电子元件的微型化已成趋势。目前现有的金属氧化物薄膜晶体管(metal-oxidethinfilmtransistor,MO-TFT)结构为底栅极蚀刻中止(bottomgateetchingstop)的结构。在上述结构中，源极与漏极位于同一膜层，且分别设于半导体层的两侧。蚀刻终止层(etchingstoplayer)具有暴露出半导体层顶面的两个接触孔(contacthole)。源极与漏极分别填入这两个接触孔而与半导体层电性连接。然而，这两个接触孔的设置不利于TFT尺寸的缩减，进而无法满足显示面板的高分辨率与窄边框的需求。

为了满足上述需求，已发展出源极以及漏极与半导体层之间具有不同接触结构的TFT。在此TFT结构中，半导体层覆盖源极，漏极则通过接触孔与半导体层电性连接。然而，在上述金属与半导体接面处的不同接触结构会形成不同的接触阻抗(contactresistance)。因此，发展一种可同时满足电性稳定度佳且尺寸小的TFT是有需要的。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管，其具有电性稳定度佳且尺寸小的特性。

本发明的薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、半导体层以及源极与漏极。栅绝缘层覆盖栅极。半导体层位于栅绝缘层上且配置在栅极上方。源极与漏极配置在栅绝缘层上且分别与半导体层电性连接。源极与漏极分别位于不同的膜层。源极与半导体层之间具有第一接触阻抗，漏极与半导体层之间具有第二接触阻抗，且第一接触阻抗小于第二接触阻抗。

基于上述，在本发明一实施例的薄膜晶体管中，源极与漏极分别位于不同的膜层而与半导体层电性连接，从而有助于薄膜晶体管尺寸的缩小。此外，在源极以及漏极与半导体层之间具有不同的接触阻抗的情况下，将接触阻抗高的作为漏极，而接触阻抗低的作为源极。如此一来，薄膜晶体管可具有更良好的电性稳定度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明第一实施例的薄膜晶体管的剖面示意图；

图2是具有图1的薄膜晶体管的像素结构的剖面示意图；

图3是本发明第二实施例的薄膜晶体管的剖面示意图；

图4是具有图3的薄膜晶体管的像素结构的剖面示意图；

图5是本发明第三实施例的薄膜晶体管的剖面示意图；

图6是具有图5的薄膜晶体管的像素结构的剖面示意图；

图7是本发明第四实施例的薄膜晶体管的剖面示意图；

图8是具有图7的薄膜晶体管的像素结构的剖面示意图；

图9是本发明第五实施例的薄膜晶体管的剖面示意图；

图10是具有图9的薄膜晶体管的像素结构的剖面示意图；

图11是现有的薄膜晶体管的电流-电压曲线图；

图12是图1的薄膜晶体管的电流-电压曲线图。

附图标记说明：

10、20、30、40、50：薄膜晶体管；

100：基板；

120：半导体层；

140：绝缘层；

160：保护层；

1000、2000、3000、4000、5000：像素结构；

W、W2：接触孔；

D：漏极；

G：栅极；

GI：栅绝缘层；

PE：像素电极；

S：源极；

S1、S1’：底面；

S2、S2’：顶面；

S3、S3’：侧面。

具体实施方式

图1是本发明第一实施例的薄膜晶体管的剖面示意图。请参照图1，本实施例的薄膜晶体管10配置在基板100上。就光学特性而言，基板100可为透光基板或不透光/反射基板。透光基板的材质可选自玻璃、石英、有机聚合物、其他适当材料或其组合。不透光/反射基板的材质可选自导电材料、金属、晶圆、陶瓷、其他适当材料或其组合。需说明的是，若基板100选用导电材料时，则需在基板100搭载薄膜晶体管的构件之前，在基板100上形成一绝缘层(未示出)，以避免基板100与薄膜晶体管的构件之间发生短路的问题。就机械特性而言，基板100可为刚性基板或可挠性基板。刚性基板的材质可选自玻璃、石英、导电材料、金属、晶圆、陶瓷、其他适当材料或其组合。可挠性基板的材质可选自超薄玻璃、有机聚合物(例如：塑料)、其他适当材料或其组合。