[发明专利]以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土发光材料

权利要求书

1.一种以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)，其特征为其结构式为：

其中，上面结构式中

。

2.如权利要求1所述的以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)的制备方法，其特征为包括如下步骤：

按摩尔比1,3,5,7,9,11,14-七异丁基三环[7.3.3.15,11] 七硅氧烷-内-3,7,14-三醇:BipySi＝2:1的配比，其中，1,3,5,7,9,11,14-七异丁基三环[7.3.3.15,11] 七硅氧烷-内-3,7,14-三醇简称为T；将T用三氯甲烷溶解后加入反应器，BipySi用二甲基亚砜溶解后同时加入反应器中，惰性环境下60℃加热、搅拌4.5h，得到以BipySi为补角体的笼型低聚倍半硅氧烷，记作T-BipySi。

3.一种以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS) /稀土离子发光材料，其特征为其结构式为：

其中，上面结构式中

稀土离子Ln为Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Yb³⁺、Tm³⁺或Dy³⁺。

4.如权利要求3所述的以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS) /稀土离子发光材料的制备方法，其特征为包括如下步骤：

将上述以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)与稀土氯化物按摩尔比T-BipySi: 稀土氯化物＝3:1的配比，将T-BipySi和稀土氯化物均加入反应器中，用三氯甲烷作溶剂使其溶解，85℃加热、搅拌4.5h，得到以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS) /稀土离子发光材料；其中，以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)简称为T-BipySi。

5.如权利要求4所述的以BipySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷(POSS) /稀土离子发光材料的制备方法，其特征为所述的稀土氯化物为NdCl₃、SmCl₃、EuCl₃、GdCl₃、HoCl₃、ErCl₃、YbCl₃、TmCl₃或DyCl₃。