[发明专利]NAND存储器装置列充电

权利要求书

1.一种操作存储器阵列的方法，其中所述存储器阵列包括多个位线，且其中所述位线中的每一者能够选择性地耦合至各自的存储器单元串，所述方法包括：

将所述位线中的邻近位线充电到预定正电压，以作为在所述阵列的操作之前给所述存储器阵列加电的一部分；

在所述位线中的未经选择的位线保持充电时，执行所述阵列的所述操作；以及

在执行所述操作之后并且在所述阵列的后续操作之前，对所述位线中的经放电的位线重新进行充电。

2.如权利要求1所述的方法，其中对所述位线中的邻近位线进行充电，以作为在所述阵列的操作之前给所述存储器阵列加电的一部分包括在给包含所述阵列的设备加电之后立即对所述位线中的所述邻近位线进行充电。

3.如权利要求1所述的方法，其中对所述位线中的邻近位线进行充电，以作为在所述阵列的操作之前给所述存储器阵列加电的一部分包括在给包含所述阵列的设备加电时，对所述位线中的所述邻近位线进行充电。

4.如权利要求1所述的方法，其中对所述位线中的邻近位线进行充电，以作为在所述阵列的操作之前给所述存储器阵列加电的一部分包括在给包含所述阵列的设备加电后，对所述位线中的所述邻近位线进行充电。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述操作包括读取操作。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述操作包括检验操作。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述操作包括写入操作。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述操作包括编程操作。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述操作包括擦除操作。

10.如权利要求1所述的方法，其中执行所述操作包括在所述位线中的经选择的位线上执行感测操作，其中所述位线中的所述未经选择的位线保持充电。

11.一种操作存储器阵列的方法，其中所述存储器阵列包括多个位线，且其中所述位线中的每一者能够选择性地耦合至各自的存储器单元串，所述方法包括：

在所述阵列的操作之前，将所述位线中的邻近位线充电到预定正电压；

在所述位线中的经选择的位线上执行感测操作；

在感测所述位线中的所述经选择的位线时，将所述位线中的未经选择的位线保持在充电状态，直到所述阵列的后续操作为止；以及

在执行所述操作之后并且在所述阵列的所述后续操作之前，对所述位线中的经放电的位线重新进行充电。

12.如权利要求11所述的方法，其进一步包括在执行所述感测操作之后，对所述经选择的位线进行充电。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述操作包括读取操作。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述操作包括检验操作。

15.如权利要求11所述的方法，其中所述位线中的所述未经选择的位线中的每一者分别邻近于所述经选择的位线中的一者。

16.如权利要求11所述的方法，其中所述位线中的所述经选择的位线对应于数据的第一活动页，且所述位线中的所述未经选择的位线对应于数据的第二非活动页。

17.如权利要求11所述的方法，其中在所述阵列的操作之前，对所述位线中的邻近位线进行充电包括在所述阵列的第一操作之前，对所述位线中的邻近位线进行充电。

18.如权利要求11所述的方法，其中对所述位线中的邻近位线进行充电包括将所述位线中的邻近位线充电到供应电压。

19.一种操作存储器阵列的方法，其中所述存储器阵列包括多个位线，且其中所述位线中的每一者能够选择性地耦合至各自的存储器单元串，所述方法包括：

在所述阵列的操作之前，将所述位线中的邻近位线保持在充电状态，其中通过将所述位线中的所述邻近位线充电到预定正电压而获得所述充电状态；

在保持所述位线中的未经选择的位线的所述充电状态时，使用所述位线中的经选择的位线执行所述阵列的所述操作；及

在执行所述操作之后，且在所述阵列的后续操作之前，将所述位线中的所述经选择的位线重新充电到所述充电状态。

20.一种操作存储器阵列的方法，其中所述存储器阵列包括多个位线，且其中所述位线中的每一者能够选择性地耦合至各自的存储器单元串，所述方法包括：

在所述阵列的操作之前，维持所述位线中的邻近位线的正源电压；

在维持所述位线中的未经选择的位线的所述正源电压时，使用所述位线中的经选择的位线执行所述阵列的所述操作；及

在执行所述操作之后，且在所述阵列的后续操作之前，向所述位线中的所述经选择的位线重新施加所述正源电压。