[发明专利]嵌入式闪存器件的集成电路及制造嵌入式闪存器件的方法

权利要求书

1.一种用于嵌入式闪存器件的集成电路，所述集成电路包括：

半导体衬底，包括存储区和邻近所述存储区的逻辑区；

逻辑器件，布置在所述逻辑区上方并且包括金属栅极，所述金属栅极通过具有超过3.9的介电常数的材料与所述半导体衬底分隔开；

闪存单元器件，布置在所述存储区上方，所述闪存单元器件包括存储单元栅极，所述存储单元栅极在相对侧上通过相应的介电区电绝缘；以及

硅化物接触焊盘，布置在所述存储单元栅极的顶面上方，其中，所述存储单元栅极的顶面和所述硅化物接触焊盘的顶面相对于所述金属栅极的顶面和所述介电区的顶面凹进。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述存储单元栅极是存储栅极、选择栅极、擦除栅极、字线和控制栅极中的一种。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述闪存单元器件包括：

选择栅极；

存储栅极，与所述选择栅极间隔；以及

电荷俘获电介质，布置在所述存储栅极下方并且布置在所述选择栅极和所述存储栅极的相邻侧壁之间；

其中，所述存储单元栅极是所述选择栅极或所述存储栅极，并且所述介电区之一包括所述电荷俘获电介质。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述闪存单元器件包括：

浮置栅极；

擦除栅极和字线，在所述浮置栅极的相对侧上与所述浮置栅极间隔；

控制栅极，布置在所述浮置栅极的上方；以及

浮置栅极间隔件，布置在所述控制栅极、所述字线和所述擦除栅极的的相邻侧壁之间；

其中，所述存储单元栅极是所述浮置栅极或所述擦除栅极，并且所述介电区之一包括所述浮置栅极间隔件。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中，包括至少以下的一种：

所述存储单元栅极的顶面在所述金属栅极的顶面之下凹进10埃至500埃；以及

所述存储单元栅极的顶面在所述介电区的顶面之下凹进至

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述硅化物接触焊盘的顶面在所述介电区的顶面之下凹进至

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述存储单元栅极的顶面平坦或所述硅化物接触焊盘的顶面平坦。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述介电区的顶面在所述金属栅极的顶面之下凹进。

9.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

介电掩模，至少部分地覆盖所述逻辑区，而保留所述存储区不被覆盖。

10.一种用于制造嵌入式闪存器件的方法，所述方法包括：

在半导体衬底的存储区上方形成存储单元器件，所述存储单元器件包括存储单元栅极，所述存储单元栅极在相对侧上通过一对介电区电绝缘；

在所述半导体衬底的逻辑区上方形成逻辑器件，所述逻辑器件具有牺牲栅极，所述牺牲栅极通过具有超过3.9的介电常数的材料与所述半导体衬底分隔开；

用金属栅极替换所述牺牲栅极；

形成至少部分地覆盖所述逻辑区的介电掩模，而保留所述存储区不被覆盖；

相对于所述金属栅极的顶面并且相对于所述介电区的顶面使所述存储单元栅极的顶面凹进；以及

在所述存储单元栅极的顶面上方形成硅化物接触焊盘。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：

在所述逻辑区和所述存储区的顶面上方形成介电层；以及

穿过所述介电层实施蚀刻以形成所述介电掩模。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

实施蚀刻以使所述介电区相对于所述金属栅极的顶面进一步凹进。

13.根据权利要求10所述的方法，还包括：

形成垂直向下延伸至所述硅化物接触焊盘的导电接触件。