[发明专利]晶片封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：

一第一基底，具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，其中该第一基底具有一微电子元件且具有邻近于该第一表面的多个导电垫，且该第一基底具有多个开口，所述开口分别暴露出每一导电垫的一部分；

一第二基底，设置于该第一表面上；

一密封层，设置于该第一表面上，且覆盖该第二基底；以及

一重布线层，设置于该第二表面上，且延伸至所述开口内，以与所述导电垫电性连接。

2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一金属层，设置于该第二基底上；以及

一导线，将该金属层电性连接至所述导电垫的其中一个。

3.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，所述开口还延伸穿透所述导电垫。

4.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，所述开口还延伸至该密封层内。

5.根据权利要求3所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一金属层，设置于该第二基底上；以及

一导线，将该金属层电性连接至所述导电垫的其中一个。

6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，所述开口分别暴露出每一导电垫的一侧壁。

7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该重布线层还延伸至该密封层内。

8.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，还包括：

一金属层，设置于该第二基底上；以及

一导线，将该金属层电性连接至所述导电垫的其中一个。

9.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该微电子元件包括一CMOS元件或一MEMS元件。

10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二基底具有一CMOS元件或一MEMS元件。

11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该第二基底包括一玻璃盖板或一硅盖板。

12.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：

提供一第一基底，该第一基底具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面，且该第一基底具有一微电子元件且具有邻近于该第一表面的多个导电垫；

在该第一表面上设置一第二基底；

在该第一表面上形成一密封层，以覆盖该第二基底；

在该第一基底内形成多个开口，所述开口分别暴露出每一导电垫的一部分；以及

在该第二表面上形成一重布线层，其中该重布线层延伸至所述开口内，以与所述导电垫电性连接。

13.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括：

在该第二基底上形成一金属层；以及

形成一导线，该导线将该金属层电性连接至所述导电垫的其中一个。

14.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，所述开口还延伸穿透所述导电垫。

15.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，通过激光钻孔制程，形成所述开口。

16.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，所述开口还延伸至该密封层内。

17.根据权利要求14所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括：

在该第二基底上形成一金属层；以及

形成一导线，该导线将该金属层电性连接至所述导电垫的其中一个。

18.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，所述开口分别暴露出所述导电垫的一侧壁。

19.根据权利要求18所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该重布线层还延伸至该密封层内。

20.根据权利要求18所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括：

在该第二基底上形成一金属层；以及

形成一导线，该导线将该金属层电性连接至所述导电垫的其中一个。

21.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该微电子元件包括一CMOS元件或一MEMS元件。