[发明专利]储存数据数值在存储单元的方法及存储器

权利要求书

1.一种储存一数据数值在一存储单元(memory cell)的方法，该数据数值包含一第一数据数值和一第二数据数值其中之一，该第一数据数值和该第二数据数值分别由一第一及一第二可编程电阻值范围(programmable resistance ranges)所表示，该方法包括：

在一写入周期(cycle)，应用具有一第一验证周期的一第一验证操作及具有一第一写入周期的一第一写入操作以储存该第一数据数值在该存储单元，或应用具有一第二验证周期的一第二验证操作及具有一第二写入周期的一第二写入操作以储存该第二数据数值在该存储单元，该第二验证周期长于该第一验证周期，该第二写入周期短于该第一写入周期；

其中，该写入周期是短于该第一写入周期及该第二验证周期之和。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该第一验证周期起始于该写入周期的一初始时间之后而结束于一第一时间延迟之后；该第一写入周期起始于一第二时间延迟之后而结束于一终了时间延迟之前；该第二验证周期起始于该初始时间之后而结束于一第三时间延迟之后，该第三时间延迟长于该第二时间延迟；及该第二写入周期起始于一第四时间延迟之后而结束于该终了时间延迟之前。

3.根据权利要求1所述的方法，其中该第一验证周期及该第一写入周期是有关于该第一可编程电阻值范围，及该第二验证周期及该第二写入周期是有关于该第二可编程电阻值范围。

4.根据权利要求1所述的方法，一存储器包含：

多个存储单元，这些存储单元包含该存储单元，这些存储单元耦接至多条位线，其中该第一验证操作及该第一写入操作是经由这些位线之中的一第一位线而应用至该存储单元，该第一位线耦接至该存储单元。

5.根据权利要求4所述的方法，更包含，在该写入周期，该第一数据数值是储存在该存储单元之中，且在该写入周期，通过应用一第二验证操作及一第二写入操作并经由这些位线之中的一第二位线而储存该第二数据数值在这些存储单元之中的一第二存储单元，该第二验证操作具有该第二验证周期，该第二写入操作具有该第二写入周期。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该第一可编程电阻值范围的多个电阻值数值是低于第二可编程电阻值范围的多个电阻值数值，该第一写入操作的一电压振幅低于该第二写入操作的一电压振幅并高于该第一验证操作与该第二验证操作的一电压振幅。

7.根据权利要求1所述的方法，其中该第一写入周期起始于该写入周期的一初始时间之后而结束于一第三时间延迟之后；该第一验证周期起始于一第四时间延迟之后而结束于一终了时间延迟之前；该第二写入周期起始于该初始时间之后而结束于一第一时间延迟之后；及该第二验证周期起始于一第二时间延迟之后而结束于该终了时间延迟之前，该第二时间延迟短于该第三时间延迟。

8.一种存储器，包含：

多个存储单元，用于储存数据数值，这些数据数值由一第一及一第二可编程电阻值范围所表示；以及

一控制器，耦接至这些存储单元，包含一逻辑以写入一数据数值至这些存储单元之中的一存储单元，该逻辑包含：

写入由一第一可编程电阻值范围表示的一第一数据数值的逻辑、应用具有一第一验证周期的一第一验证操作的逻辑、以及应用具有一第一写入周期的一第一写入操作的逻辑；以及

写入由一第二可编程电阻值范围表示的一第二数据数值的逻辑、应用具有一第二验证周期的一第二验证操作的逻辑、以及应用具有一第二写入周期的一第二写入操作的逻辑，其中该第二验证周期长于该第一验证周期，该第二写入周期短于该第一写入周期；

其中，用于写入该第一或该第二数据数值的该写入周期是短于该第一写入周期及该第二验证周期之和。