[发明专利]用于基片和裸片之间的粘合剂控制的方法

权利要求书

1.制造封装结构的方法，所述方法包括：

在基片中形成至少一个腔；

单体化第二基片以形成多个裸片；

在所述多个裸片中的裸片的表面上贴附至少一个接合垫；

将牺牲层材料沉积在裸片的表面上，所述牺牲层材料覆盖所述至少一个接合垫中的接合垫的至少一部分；

将粘合剂引入所述至少一个腔中的腔中；以及

将裸片放置入腔中并放置成与粘合剂接触。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在将裸片放置成与粘合剂接触后从裸片的表面去除牺牲层材料。

3.如权利要求2所述的方法，其中，去除牺牲层材料包括将溶剂引入至牺牲层材料。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述溶剂包括N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)。

5.如权利要求2所述的方法，还包括在去除牺牲层材料之前至少部分地固化所述粘合剂。

6.如权利要求2所述的方法，还包括采用加压流体处置裸片以便去除此前在牺牲层被去除前与牺牲层接触的溢出粘合剂。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括聚对苯撑苯并二恶唑(PBO)。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括抗蚀剂层。

9.如权利要求1所述的方法，还包括在基片的邻近所述至少一个腔中的所述腔的表面上沉积第二牺牲层材料。

10.如权利要求9所述的方法，还包括在将裸片放置成与粘合剂接触后从基片表面去除第二牺牲层材料。

11.如权利要求1所述的方法，其中在裸片被放置成与粘合剂接触后粘合剂接触裸片的侧壁，并且其中粘合剂在裸片的表面处接触所述侧壁。

12.如权利要求1所述的方法，其中，在裸片被放置成与粘合剂接触后，粘合剂在裸片的表面和腔之间的位置处接触裸片的侧壁。

13.制造封装结构的方法，所述方法包括：

在基片中形成至少一个腔；

单体化第二基片以形成多个裸片；

在所述多个裸片中的裸片的表面上贴附至少一个接合垫；

将一层裸片附着膜(DAF)贴附至裸片的底表面，裸片的底表面与裸片的具有所述至少一个接合垫的表面相反；以及

将裸片放置入所述至少一个腔中的腔中，使裸片附着膜与所述腔接触。

14.如权利要求13所述的方法，还包括在将裸片放置入腔中之前或期间的至少之一加热基片。

15.如权利要求13所述的方法，其中，将裸片放置入腔中包括在将裸片放置入腔中期间对裸片施加压力。

16.如权利要求13所述的方法，其中，裸片附着膜(DAF)具有小于约75微米的厚度。

17.如权利要求16所述的方法，其中，裸片附着膜(DAF)具有约30微米的厚度。

18.如权利要求13所述的方法，还包括在裸片表面上沉积牺牲层材料，所述牺牲层材料覆盖所述至少一个接合垫中的接合垫的至少一部分。

19.如权利要求18所述的方法，还包括在将裸片放置入腔中使裸片附着膜与腔接触之后从裸片表面去除牺牲层材料。

20.如权利要求19所述的方法，其中，去除牺牲层材料包括将溶剂引入至牺牲层材料。

21.如权利要求18所述的方法，还包括在基片的邻近所述至少一个腔中的所述腔的表面上沉积第二牺牲层材料。

22.如权利要求21所述的方法，还包括在将裸片放置入腔中使裸片附着膜与所述腔接触后从基片表面去除第二牺牲层材料。

23.如权利要求13所述的方法，其中，在裸片被放置入腔中后所述DAF接触裸片的侧壁，并且其中所述DAF在裸片的表面处接触所述侧壁。

24.如权利要求13所述的方法，其中，在裸片被放置入腔中后所述DAF在裸片的表面和腔之间的位置处接触裸片的侧壁。