[发明专利]用于基片和裸片之间的粘合剂控制的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求享有2013年12月2日提交的题为“TECHNIQUES FOR ADHESIVE CONTROL BETWEEN A SUBSTRATE AND A DIE”的美国临时申请No.61/910,601和2014年2月5日提交的题为“TECHNIQUES FOR ADHESIVE CONTROL BETWEEN A SUBSTRATE AND A DIE”的美国临时申请No.61/935,917的权益。美国临时申请No.61/910,601和No.61/935,917因此以其整体通过引用被并入本发明中。

背景技术

在半导体器件的制造中使用的传统制造工艺采用显微光刻法来将集成电路的图案制作到由诸如硅等的半导体形成的圆形晶片上。通常地，这些带图案的晶片被分割成单独的集成电路芯片或裸片，从而将各集成电路从彼此分开。这些单独的集成电路芯片采用各种各样的封装技术进行组装或封装，以形成可被安装至印刷电路板的半导体器件。

多年以来，封装技术已发展成开发更小、更廉价、更稳定、且环境更友好的封装。例如，芯片尺寸封装技术已被开发，其直接采用表面贴装封装，所述表面贴装封装具有不大于集成电路芯片区域的1.2倍的表面区域。晶片级封装是一种新兴的芯片尺寸封装技术，其包括各集成电路芯片借以在分割之前在晶片级进行封装的各种技术。晶片级封装将晶片制造工艺延展到包括器件互连以及器件保护工艺。因此，晶片级封装通过允许晶片制造、封装、测试以及老化工艺在晶片级的一体化而使制造工艺流水化。

发明内容

本发明描述了采用被构造成对基片和裸片之间的粘合剂施加进行控制的技术的半导体器件。晶片级芯片尺寸封装器件包括芯片载体基片，其具有位于其中的用于接纳裸片的腔。例如，这些腔可以是被构造成接纳裸片的带斜坡的腔，在该处粘合剂(例如，环氧树脂或胶)将裸片保持在腔内。在一种实现方式中，牺牲层被设置在裸片的顶表面上以保护该表面和该表面上的接合垫免受粘合剂的溢出。随后，牺牲层和溢出的粘合剂被从裸片和/或芯片载体去除。在一种实现方式中，裸片包括裸片底表面上的用于将裸片粘附到基片的腔中的裸片附着膜(DAF)。裸片被利用热和压力施加到腔中，以便致使裸片附着膜(DAF)的一部分从裸片底表面流到基片腔的侧表面。

本发明内容部分旨在以简单的形式引入对下面在具体实施方式部分中进一步描述的一些概念的选择。本发明内容部分并不意在识别所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在被用作确定所要求保护的主题的范围时的辅助。

附图说明

详细的说明是参考附图进行描述的。在说明书和附图中的不同例子中使用相同的附图标记可能表示相似或相同特征。

图1A是示出了晶片级芯片尺寸封装器件的示意性截面侧视图，其中裸片将利用粘合剂被固定至基片；

图1B是示出了图1A的晶片级芯片尺寸封装器件的示意性截面视图，其中该裸片被安装至基片；

图2A是根据本发明的示例性实现方式的被安装至基片的裸片的示意性局部截面视图，其中裸片包括位于裸片顶表面上的牺牲层；

图2B是图2A的被安装至基片的裸片的示意性局部截面视图，其中牺牲层被去除；

图3A是图2A的被安装至基片的裸片的示意性局部截面视图，其中基片包括位于基片顶表面上的牺牲层；

图3B是图3A的被安装至基片的裸片的示意性局部截面视图，其中牺牲层被从裸片和基片去除；

图4A是根据本发明的示例性实现方式的具有裸片底表面上的裸片附着膜(DAF)的裸片的示意性局部截面视图，其中裸片在压力下被施加至受热的基片；

图4B是图4A的被安装至基片的裸片的示意性局部截面视图，其中裸片附着膜(DAF)的一部分从裸片下面流出；

图5是根据本发明的示例性实现方式的用于制造封装结构的示例性工艺的流程图；

图6是根据本发明的示例性实现方式的用于制造封装结构的示例性工艺的流程图；

图7是根据本发明的示例性实现方式的被安装至基片的裸片的封装结构的示意性局部截面视图；

图8是根据本发明的示例性实现方式的具有被并入的焊料凸块的封装结构的示意性局部截面视图。

具体实施方式

概述