[发明专利]钼硅靶材的制造方法

权利要求书

1.一种钼硅靶材的制造方法，其特征在于，包括：

提供钼粉和硅粉；

利用混粉工艺将所述钼粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；

所述钼粉的平均直径为2μm～8μm，所述硅粉的平均直径小于5μm；

利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钼硅靶材坯料；

所述冷压工艺的具体参数为：冷等静压的温度为常温，冷等静压的压力大于等于150MPa，冷等静压的时间为10min～30min；

将所述钼硅靶材坯料置于包套内，在常温下对所述包套进行抽真空，直至包套内的真空度达到2×10^-3Pa；所述包套内的真空度达到2×10^-3Pa后，将所述包套加热至250℃～500℃并保温3h～4h；

利用热等静压工艺对所述包套内的钼硅靶材坯料进行致密化处理；所述热等静压的压力为110MPa～160MPa；所述热等静压的升温速度为3℃/min～10℃/min；

去除所述包套，得到钼硅靶材。

2.如权利要求1所述的钼硅靶材的制造方法，其特征在于，所述混粉工艺为干混工艺。

3.如权利要求2所述的钼硅靶材的制造方法，其特征在于，所述干混工艺中使用硅球作为研磨介质球。

4.如权利要求3所述的钼硅靶材的制造方法，其特征在于，所述混合粉末和硅球的质量比为1：1至4：1，所述钼粉和硅粉的混合时间为20h至26h。

5.如权利要求1所述的钼硅靶材的制造方法，其特征在于，利用冷等静压工艺对所述混合粉末进行致密化处理包括：

将所述混合粉末置于冷等静压机的模具内，设置所述冷等静压机的冷等静压温度为常温、冷等静压压力大于等于150MPa、冷等静压时间为10min至30min，以使所述混合粉末成型为所述钼硅靶材坯料；

将所述钼硅靶材坯料从模具内取出。

6.如权利要求1所述的钼硅靶材的制造方法，其特征在于，所述致密化处理之前，还包括：

将所述钼硅靶材坯料置于包套内后，封死所述包套，并从所述包套上引出脱气管，所述脱气管与包套内连通；

将所述脱气管与真空设备相连，开启所述真空设备以对所述包套进行抽真空；

进行所述抽真空后，封死所述脱气管。

7.如权利要求6所述的钼硅靶材的制造方法，其特征在于，开启所述真空设备以对所述包套进行抽真空的过程中，所述包套置于加热炉内；

开启所述真空设备以对所述包套进行抽真空包括：

不启动所述加热炉，在常温下对所述包套进行抽真空，直至所述包套内的真空度达到2×10^-3Pa；

所述包套内的真空度达到2×10^-3Pa后，启动所述加热炉，以将所述包套加热至250℃至500℃并保温3h至4h；

在所述包套加热、以及保温过程中仍对所述包套进行抽真空，使所述包套内的真空度维持在2×10^-3Pa以上。

8.如权利要求6所述的钼硅靶材的制造方法，其特征在于，利用热等静压工艺对容纳有所述钼硅靶材坯料的包套进行致密化处理包括：

将容纳有所述钼硅靶材坯料的包套置于热等静压炉内，设置所述热等静压炉的热等静压温度为1100℃至1350℃、热等静压压力为110MPa至160MPa，使容纳有所述钼硅靶材坯料的包套在所述热等静压温度和热等静压压力下保温3h至6h。