[发明专利]钼硅靶材的制造方法

说明书

一种钼硅靶材的制造方法，包括：提供钼粉和硅粉；利用混粉工艺将所述钼粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钼硅靶材坯料；将所述钼硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钼硅靶材坯料进行致密化处理；去除所述包套，得到钼硅靶材。本发明的技术方案能够使形成的钼硅靶材具有较高的致密度、以及均匀的内部组织结构。

技术领域

本发明涉及溅射靶材技术领域，特别是涉及一种钼硅靶材的制造方法。

背景技术

真空溅镀是一种常用的镀膜工艺，其原理是：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片，氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子沉积在基片上成膜。

钼硅靶材是真空溅镀过程中时常会使用到的一种靶材，对钼硅靶材进行真空溅镀形成的镀膜是一种良好的导体，它被广泛应用于电子栅门材料以及电子薄膜领域。为了使对钼硅靶材进行真空溅镀形成的镀膜具有良好的性能，要求钼硅靶材具有较高的致密度，且要求钼硅靶材的内部组织结构较为均匀。但是，目前并没有出现能够制作出满足上述要求的钼硅靶材的制造方法。

发明内容

本发明要解决的问题是：研究一种钼硅靶材的制造方法，以制作具有较高致密度、内部组织结构均匀的钼硅靶材。

为解决上述问题，本发明提供了一种钼硅靶材的制造方法，包括：

提供钼粉和硅粉；

利用混粉工艺将所述钼粉和硅粉混合均匀，以形成混合粉末；

利用冷压工艺对所述混合粉末进行致密化处理，以形成钼硅靶材坯料；

将所述钼硅靶材坯料置于包套内，利用热等静压工艺对所述包套内的钼硅靶材坯料进行致密化处理；

去除所述包套，得到钼硅靶材。

可选的，所述混粉工艺为干混工艺。

可选的，所述干混工艺中使用硅球作为研磨介质球。

可选的，所述混合粉末和硅球的质量之比为1：1至4：1，所述钼粉和硅粉的混合时间为20h至26h。

可选的，所述钼粉的平均直径为2μm～8μm，所述硅粉的平均直径小于5μm。

可选的，所述冷压工艺为冷等静压工艺。

可选的，利用冷等静压工艺对所述混合粉末进行致密化处理包括：

将所述混合粉末置于冷等静压机的模具内，设置所述冷等静压机的冷等静压温度为常温、冷等静压压力大于等于150MPa、冷等静压时间为10min至30min，以使所述混合粉末成型为所述钼硅靶材坯料；

将所述钼硅靶材坯料从模具内取出。

可选的，进行所述致密化处理之前，还包括：

将所述钼硅靶材坯料置于包套内后，封死所述包套，并从所述包套上引出脱气管，所述脱气管与包套内连通；

将所述脱气管与真空设备相连，开启所述真空设备以对所述包套进行抽真空；

进行所述抽真空后，封死所述脱气管。

可选的，开启所述真空设备以对所述包套进行抽真空的过程中，所述包套置于加热炉内；

开启所述真空设备以对所述包套进行抽真空包括：

不启动所述加热炉，在常温下对所述包套进行抽真空，直至所述包套内的真空度达到2×10^-3Pa；