[发明专利]改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法在审

专利信息
申请号: 201410668058.3 申请日: 2014-11-20
公开(公告)号: CN104409379A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 王鹏;刘宇;李秀莹 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 改善 硅片 背面 热点 测试 颜色 异常 方法
【权利要求书】:

1.一种改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法,其特征在于包括依次执行下述步骤:

第一步骤,用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试的待测试晶圆进行后道烘烤,其中后道烘烤的温度介于150-200℃之间;

第二步骤,用于将经过后道烘烤的待测试晶圆布置在良率测试机台上;

第三步骤,用于对良率测试机台上的待测试晶圆进行晶圆热点测试。

2.根据权利要求1所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法,其特征在于,后道烘烤的温度介于170-180℃之间。

3.根据权利要求2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法,其特征在于,后道烘烤的温度介于175-180℃之间。

4.根据权利要求1或2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法,其特征在于,后道烘烤的烘烤时间介于1至3小时之间。

5.根据权利要求4所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法,其特征在于,后道烘烤的烘烤时间为2小时。

6.根据权利要求1或2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法,其特征在于,待测试晶圆背面的叠层为Ti层/Ni层/Ag层的叠层。

7.根据权利要求6所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法,其特征在于,Ag层的厚度不小于

8.根据权利要求1或2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法,其特征在于,待测试晶圆背面的叠层为的Ti层/的Ni层/的Ag层。

9.根据权利要求1或2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法,其特征在于,第三步骤对良率测试机台上的待测试晶圆在75-125℃下保持2小时的晶圆热点测试。

10.根据权利要求1或2所述的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法,其特征在于,第三步骤对良率测试机台上的待测试晶圆在100-110℃下保持2小时的晶圆热点测试。

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