[发明专利]改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法。

背景技术

对于功率MOS晶体管，一般背面金属膜叠层是Ti层/Ni层/Ag层的叠层。对于一些客户针对汽车电子产品的特殊请求，希望进行背面高温测试(也称为晶圆热点测试，wafer pass hot test)。

在进行背面晶圆热点测试时，一般将晶圆布置在良率测试机台(EWS tester)上，随后使得晶圆在125℃下保持2小时的晶圆热点测试。在2小时的晶圆热点测试之后即可查看晶圆背面是否存在颜色异常。颜色异常一般包括白点(White dots)和环状的颜色异常。这种颜色异常可能有两种原因，即“Ni扩散”或者“Ag颗粒尺寸变化”。

对于颜色异常的原因判断，可以采取下述措施：

1.对晶圆切片以观察截面时，和“Ni扩散”的样品作对比，如果进行晶圆热点测试后的Ni比较完整，则可以佐证不是“Ni扩散”。

2.工程晶圆片仅仅生长1.5k厚的Ag而不生长Ni(这样就没有Ni元素的干扰)，此时如果进行晶圆热点测试的结果和生长Ni的情况类似，则确认不是“Ni扩散”的原因。

3.同样对晶圆进行切片，利用扫描电镜(SEM)观察表面Ag颗粒大小的对比，可以确认颜色异常主要来源于晶圆热点测试后Ag的颗粒大小变化的情况。

由此，在本领域中，希望能够提供一种能够改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法，包括依次执行下述步骤：第一步骤，用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试的待测试晶圆进行后道烘烤，其中后道烘烤的温度介于150-200℃之间；第二步骤，用于将经过后道烘烤的待测试晶圆布置在良率测试机台上；第三步骤，用于对良率测试机台上的待测试晶圆进行晶圆热点测试。

优选地，后道烘烤的温度介于170-180℃之间。

优选地，后道烘烤的温度介于175-180℃之间。

优选地，后道烘烤的烘烤时间介于1至3小时之间。

优选地，后道烘烤的烘烤时间为2小时。

优选地，待测试晶圆背面的叠层为Ti层/Ni层/Ag层的叠层。

优选地，Ag层的厚度不小于。

优选地，待测试晶圆背面的叠层为的Ti层的Ni层的Ag层。

优选地，第三步骤对良率测试机台上的待测试晶圆在75-125℃下保持2小时的晶圆热点测试。

优选地，第三步骤对良率测试机台上的待测试晶圆在100-110℃下保持2小时的晶圆热点测试。

根据本发明的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法通过增加后道烘烤而有效地改善了硅片背面晶圆热点测试的颜色异常情况，而且本发明可进一步通过控制Ag层的厚度来进一步有效改善颜色异常情况。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法的流程图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法的流程图。

具体地说，如图1所示，根据本发明优选实施例的改善硅片背面晶圆热点测试颜色异常的方法包括依次执行下述步骤：

第一步骤S1，用于对将要进行硅片背面晶圆热点测试的待测试晶圆进行后道烘烤，其中后道烘烤的温度介于150-200℃之间；通过后道烘烤，使Ag的颗粒尺寸已经被稳固，所以在进行后续的晶圆热点测试时，Ag的颗粒尺寸变化变小，能有效改善颜色异常。

具体地说，后道烘烤的温度如果低于150℃则效果不好，后道烘烤的温度如果超过200℃则容易引起背面金属剥落。

优选地，后道烘烤的温度介于170-180℃之间。进一步优选地，后道烘烤的温度介于175-180℃之间。