[发明专利]蚀刻剂和使用其制造显示器的方法有效

专利信息
申请号: 201410668929.1 申请日: 2014-11-20
公开(公告)号: CN104651839B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 金善一;金仁培;朴弘植;郑钟铉;鞠仁说;李昔准;南基龙;朴英哲;刘仁浩;尹暎晋 申请(专利权)人: 三星显示有限公司;东友精细化工有限公司
主分类号: C23F1/16 分类号: C23F1/16;C23F1/18;C23F1/26;H01L21/70
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 金拟粲
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 使用 制造 显示器 方法
【权利要求书】:

1.蚀刻剂,包括基于所述蚀刻剂的总量的:

0.5-20重量%的过硫酸盐;

0.01-2重量%的氟化合物;

1-10重量%的无机酸;

0.5-5重量%的唑化合物;

0.1-5重量%的给电子化合物;

0.1-5重量%的氯化合物;

0.05-3重量%的铜盐;

0.1-10重量%的有机酸或有机酸盐;和

余量的水,

其中所述给电子化合物为环状有机酸或环状有机酸盐,

其中所述环状有机酸包括选自如下的至少一种:松香酸、间氨基苯磺酸、核黄素、叶酸、没食子酸和抗坏血酸,和

所述环状有机酸盐包括选自如下的至少一种:所述环状有机酸的钾盐、钠盐、钙盐和铵盐,和

其中所述有机酸包括选自如下的至少一种:乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、羟基乙酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸,和

所述有机酸盐包括选自如下的至少一种:所述有机酸的钾盐、钠盐和铵盐。

2.如权利要求1中所述的蚀刻剂,其中所述环状有机酸盐包括选自如下的至少一种:L-抗坏血酸钾、L-抗坏血酸钙、和L-抗坏血酸钠。

3.如权利要求1中所述的蚀刻剂,其中所述过硫酸盐包括选自如下的至少一种:过硫酸钾、过硫酸钠、和过硫酸铵。

4.如权利要求1中所述的蚀刻剂,其中所述氟化合物包括选自如下的至少一种:氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、和氟化氢钾。

5.如权利要求1中所述的蚀刻剂,其中所述无机酸包括选自如下的至少一种:硝酸、硫酸、磷酸、和高氯酸。

6.如权利要求1中所述的蚀刻剂,其中所述唑化合物包括选自如下的至少一种:5-氨基四唑、3-氨基-1,2,4-三唑、4-氨基-4H-1,2,4-三唑、苯并三唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、和吡咯啉。

7.如权利要求1中所述的蚀刻剂,其中所述氯化合物包括选自如下的至少一种:盐酸、氯化钠、氯化钾、和氯化铵。

8.如权利要求1中所述的蚀刻剂,其中所述铜盐包括选自如下的至少一种:硝酸铜、硫酸铜、和磷酸铵铜。

9.如权利要求1中所述的蚀刻剂,其中所述水为去离子水。

10.如权利要求1中所述的蚀刻剂,进一步包括金属离子封闭剂或防腐蚀剂。

11.制造显示器的方法,所述方法包括:

在基板上形成栅图案,所述栅图案用于形成彼此连接的栅极线和栅电极;

形成数据图案,所述数据图案用于形成与所述栅极线绝缘和交叉的数据线、连接至所述数据线的源电极以及与所述源电极隔开的漏电极;

形成连接至所述漏电极的像素电极;和

形成与所述像素电极绝缘的公共电极,

其中所述形成栅图案和所述形成数据图案的至少一个包括:

在所述基板上形成金属层;和

使用权利要求1-10中任一项的蚀刻剂蚀刻所述金属层。

12.如权利要求11中所述的制造显示器的方法,其中在所述基板上形成金属层包括:

在所述基板上形成第一金属层;和

在所述第一金属层上形成第二金属层。

13.如权利要求12中所述的制造显示器的方法,其中所述第一金属层是通过沉积包括铜的金属而形成的。

14.如权利要求12中所述的制造显示器的方法,其中所述第二金属层是通过沉积包括钛的金属而形成的。

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