[发明专利]折射率匹配膜、折射率匹配膜的制作方法及触摸屏在审
申请号: | 201410669270.1 | 申请日: | 2014-11-20 |
公开(公告)号: | CN104485156A | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 徐金龙;陈庆松;宋明雄 | 申请(专利权)人: | 张家港康得新光电材料有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G06F3/041 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 215634 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 折射率 匹配 制作方法 触摸屏 | ||
技术领域
本发明涉及硬化膜技术领域,具体而言,涉及一种折射率匹配膜、折射率匹配膜的制作方法及触摸屏。
背景技术
目前,市场上用于触摸屏的基材主要有双面硬化膜和折射率匹配膜(IM膜)。其中,双面硬化膜和折射率匹配膜均能满足现有触摸屏的基本需求。然而,当采用双面硬化膜作为触摸屏的基材时,下游镀膜厂家需在其中的一面镀三层膜(高折射率层、低折射率层和导电膜层),且镀膜时无法提速,生产效率极低。同时,终端客户只能采用油墨网印工艺对双面硬化膜进行蚀刻,从而限制了客户所采用的制成工艺。
现有IM膜主要包括IM膜(1+1结构)和IM膜(1+3结构)。其中,IM膜(1+1结构)的雾度达到1.2%以上,作为ITO膜用时需在高折HC面溅镀三层材料(高折层,低折层及ITO层),且溅镀时无法提速、生产效率低、成本高且IM膜的挺性一般,影响终端客户蚀刻效率。IM膜(1+3结构)作为ITO膜用时需在高折HC面溅镀二层材料(低折层及ITO层),溅镀时虽可以提速,使其生产效率较高;但其制造成本高、雾度高、良率低,严重影响经济效益。针对上述问题,目前还没有有效的解决方法。
发明内容
本发明旨在提供一种折射率匹配膜、折射率匹配膜的制作方法及触摸屏,以降低折射率匹配膜的雾度,并提高折射率匹配膜和ITO层的接着性。
为此,本发明提供了一种折射率匹配膜,该折射率匹配膜包括:基材;硬化层,形成于基材的一侧侧面上;防粘连硬化层,形成于基材的另一侧侧面上;第一折射率匹配层,形成于防粘连硬化层上,第一折射率匹配层为分布有粒径为10~50nm的金属氧化物的涂层。
进一步地,金属氧化物的粒径为20~40nm。
进一步地,金属氧化物选自二氧化锆、三氧化二铝、氧化锌和氧化锑中的任一种或多种。
进一步地,第一折射率匹配层的折射率为1.6~1.75,第一折射率匹配层的厚度为70~100nm。
进一步地,防粘连硬化层为包含粒径为60~90nm的二氧化硅的涂层。
进一步地,二氧化硅的粒径为70~80nm。
进一步地,防粘连硬化层的折射率为1.5~1.52,防粘连硬化层的厚度为2~2.5μm。
进一步地,基材包括聚酯膜层以及形成于聚酯膜层的两侧侧面预涂层。
进一步地,聚酯膜层的厚度为50~125μm,位于聚酯膜层的一侧侧面上的预涂层的厚度为60~120nm,硬化层的厚度为4~4.5μm。
进一步地,聚酯膜层的折射率为1.63~1.65,预涂层的折射率为1.575~1.58,硬化层的折射率为1.5~1.52。
同时,本发明还提供了一种折射率匹配膜的制作方法,该制作方法包括以下步骤:形成基材;在基材的一侧侧面上形成硬化层;在基材的另一侧侧面上形成防粘连硬化层;在防粘连硬化层上形成第一折射率匹配层,第一折射率匹配层为分布有粒径为10~50nm的金属氧化物的涂层。
进一步地,形成第一折射率匹配层的步骤包括:将含有金属氧化物的高折射率硬化液和有机溶剂混合形成混合溶剂;将混合溶剂涂布到防粘连硬化层上;对混合溶剂依次进行干燥和紫外照射后形成第一折射率匹配层。
进一步地,高折射率硬化液包括90~95wt%的丙烯酸酯、3~5wt%的金属氧化物和2~4wt%的光聚合引发剂,混合溶剂中金属氧化物的含量为20~40wt%。
同时,本发明还提供了一种触摸屏,该触摸屏包括:本发明提供的折射率匹配膜;第二折射率匹配层,形成于折射率匹配膜中的第一折射率匹配层上,且第二折射率匹配层的折射率小于第一折射率匹配层的折射率;以及透明导电层,形成于第二折射率匹配层上。
进一步地,第二折射率匹配层为SiO2层,透明导电层为ITO层。
本发明的技术效果:本发明通过在防粘连硬化层上形成分布有粒径为10~50nm的金属氧化物的第一折射率匹配层,从而有效降低了折射率匹配膜的雾度,并提高了折射率匹配膜和ITO层的接着性,且该折射率匹配膜具有较好的透光性、硬度和耐磨性。与现有IM膜(1+1结构)和双面硬化膜相比,本发明提供的折射率匹配膜能够使溅镀过程少镀膜一层,从而有效提高生产效率,且该折射率匹配膜的制作成本低且有很好的加工性,所以具有很大的经济效益和市场空间。
附图说明
构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:
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