[发明专利]一种用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法

权利要求书

1.一种用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法，其特征在于它包括以下步骤：

(1)将待镀碳的石英安瓿放置于管式炉中

先将待镀碳的石英安瓿置于石英套管内，接着将石英套管放入管式炉的镀碳温度区，再将供气装置的通气管的出气口置于石英安瓿内；

(2)管式炉升温并排出空气

先在常压下将管式炉升至900～1000℃，接着保持温度恒定并用供气装置向所述石英安瓿内通入纯度为99.99％以上的惰性气体排除石英安瓿内的空气；

(3)通入碳源气体对石英安瓿进行镀碳

将惰性气体的流量调整为30～70mL/min，然后用供气装置以流量为2～5mL/min的速率向石英安瓿内通入乙炔对石英安瓿进行镀碳，所述供气装置的通气管处于石英安瓿内一个固定位置时通入乙炔的时间为5～10分钟；

(4)对镀碳的石英安瓿进行后处理

镀碳结束后，关闭供气装置，取出管式炉内的石英套管并向石英套管内通入纯度为99.99％以上的惰性气体，使其在室温下冷却，即获得镀碳的石英安瓿。

2.根据权利要求1所述的用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法，其特征在于所述镀碳温度区是指管式炉升温后炉内温度为900～1000℃的区域。

3.根据权利要求2所述的用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法，其特征在于所述炉内温度是通过炉内温场测试获得的。

4.根据权利要求1所述的用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法，其特征在于步骤(2)所述通入纯度为99.99％以上的惰性气体的流量不小于70mL/min，通入时间不少于10min。

5.根据权利要求1所述的用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法，其特征在于步骤(3)所述通入碳源气体对石英安瓿进行镀碳时惰性气体流量是50mL/min，乙炔流量是5mL/min。

6.根据权利要求1所述的用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法，其特征在于所述惰性气体为氮气或氩气。

7.根据权利要求1所述的用于晶体生长的石英安瓿的镀碳方法，其特征在于所述供气装置包括惰性气体控制器、乙炔控制器、通气管，所述惰性气体控制器与通气管连通，乙炔控制器与通气管连通，惰性气体控制器和乙炔控制器的气体出口处分别设置用于控制气体输送的阀门。