[发明专利]具有窄读取间隙结构的多读取传感器

权利要求书

1.一种磁头，包括：

下屏蔽层，定位在所述磁头的面向介质的表面处；

至少两个磁阻(MR)元件，定位在所述下屏蔽层的上方，每个MR元件沿元件高度方向从所述磁头的面向介质的表面延伸出去；

背布线层，定位在所述MR元件的每个的至少一个下层的上方的沿所述元件高度方向离开所述磁头的面向介质的表面的一位置处，其中所述背布线层被构造为与所述MR元件电连通且构造为在读取操作其间从每个MR元件分别地提取信号；和

上屏蔽层，定位在所述MR元件的上方，所述上屏蔽层被构造为与所述MR元件电连通。

2.根据权利要求1所述的磁头，其中每个MR元件包括钉扎层、定位在所述钉扎层上方的屏障层和定位在所述屏障层上方的自由层。

3.根据权利要求2所述的磁头，进一步包括至少四个MR元件。

4.根据权利要求1所述的磁头，进一步包括定位在所述下屏蔽层和所述MR元件之间的隔离层，其中所述上屏蔽层被构造为作为所述MR元件的上电极起作用。

5.根据权利要求4所述的磁头，进一步包括在横向于磁道的方向上定位在每个MR元件的两侧上的磁域控制层，其中所述磁域控制层通过隔离层与每个MR元件分开。

6.根据权利要求4所述的磁头，进一步包括定位在所述上屏蔽层和所述背布线层之间的隔离层，其中每个MR元件的沿所述元件高度方向从所述磁头的面向介质的表面延伸出去的部分被构造为作为其相应MR元件的下电极起作用。

7.根据权利要求4所述的磁头，进一步包括定位在每个MR元件下方的布线下层，所述布线下层被构造为作为其相应MR元件的下电极起作用。

8.根据权利要求7所述的磁头，其中布线下层包括Cr、NiFe和/或CoFe。

9.根据权利要求1所述的磁头，进一步包括上布线层，该上布线层在所述面向介质的表面处定位在每个MR元件上方并且沿元件高度方向从所述面向介质的表面延伸出去，其中所述上布线层被构造为与所述背布线层电连通，且其中所述下屏蔽层被构造为作为用于所述MR元件的下电极起作用。

10.根据权利要求9所述的磁头，进一步包括在横向于磁道的方向上定位在每个MR元件的两侧上的磁域控制层，其中所述磁域控制层通过隔离层与每个MR元件分开。

11.根据权利要求9所述的磁头，进一步包括在横向于磁道的方向上定位在每个MR元件的两侧上的磁侧屏蔽层，其中所述磁侧屏蔽层通过隔离层与每个MR元件分开。

12.一种磁数据存储系统，包括：

至少一个根据权利要求1所述的磁头；

磁介质；

用于使磁介质在至少一个磁头上方通过的驱动机构；和

电联接到至少一个磁头的用于控制至少一个磁头的操作的控制器。

13.一种磁头，包括：

下屏蔽层，定位在所述磁头的面向介质的表面处；

至少两个磁阻(MR)元件，定位在所述下屏蔽层的上方，每个MR元件沿元件高度方向从所述磁头的面向介质的表面延伸出去；

背布线层，定位在所述MR元件的每个的至少一个下层的上方的沿所述元件高度方向离开所述磁头的面向介质的表面的一位置处，其中所述背布线层被构造为与所述MR元件电连通并且被构造为在读取操作其间从每个MR元件分别地提取信号；和

上布线层，在所述磁头的面向介质的表面处定位在每个MR元件上方并且沿所述元件高度方向从所述磁头的面向介质的表面延伸出去，所述上布线层被构造为与所述背布线层电连通，

其中，所述上布线层被构造为作为所述MR元件的上电极起作用，

其中，所述下屏蔽层被构造为作为所述MR元件的下电极起作用。