[发明专利]具有窄读取间隙结构的多读取传感器

说明书

技术领域

本发明涉及磁头，并且特别涉及具有带有窄读取间隙结构的多读取传感器的磁头。

背景技术

计算机的心脏是硬盘驱动器(HDD)，硬盘驱动器典型地包括旋转的磁盘、具有读写头的滑块、在旋转盘上方的悬架和用于摆动悬架以把读和/或写头放置在旋转盘上的选择的圆形磁道上方的促动器臂。当盘不旋转时悬臂将滑块偏压与盘的表面接触，但当盘旋转时，在滑块的空气支撑面(ABS)处附近，由旋转的盘使得空气涡旋，从而使得滑块倚在空气支撑上，与旋转的盘的表面成微小距离。当滑块处在空气支撑上时，读写头用于向旋转的盘写入磁印记和从旋转的盘读取磁信号场。读写头连接到处理电路，所述处理电路根据计算机程序操作以实施读写功能。

在信息时代被处理的信息量迅速增加。特别是希望HDD在其有限的面积和体积内存储更多信息。对此希望的技术解决方法是通过增加HDD的记录密度来增加容量。为实现更高的记录密度，记录比特的进一步的微型化是有效的，这通常又要求越来越小的部件设计。

磁阻效应类型的磁头用作读记录在高密度磁记录装置(例如HDD)的磁记录介质(例如，硬盘)上的取磁信息(数据)的传感器。使用利用磁阻效应的读取磁头变得流行。一个这样的磁阻效应类型的读取头使用多层膜内的巨磁阻(GMR)效应，所述多层膜通过将铁磁性金属层层叠在非磁性中间层上形成。所使用的第一类型的GMR头是平面内电流(CPP)类型的头，其中电信号平行于膜平面流动到传感器薄膜内。然后，开发了带有改进的记录密度的隧道磁阻(TMR)效应头和垂直于平面电流(CPP)-GMR头，所述头被考虑为从磁道缩窄、间隙缩窄和输出增加的角度上是有利的。TMR头现在通常使用在读取磁头中。TMR头和CPP-GMR头与常规的CMR头不同，它们与CIP类型的头明显不同，且与CPP类型的头明显不同。

虽然近年来对于甚至更高密度记录的需求已通过基于缩窄磁阻传感器的有效道宽度的技术满足，但磁道宽度缩窄导致增加的元件阻力、增加的噪声、降低的敏感性和增加敏感性中的困难的其他问题。

已建议设计为容许更高密度记录的多元件磁头来减轻这些问题。多元件磁头的优点是它们包括带有大量其尺寸大于介质的位尺寸的元件的磁头，且这允许位数据从多个因此产生的信号的差异中读取。因为元件尺寸可增加而超过单独的位尺寸，所以噪声可被抑制且可升高敏感性。

一个这种多元件磁头50从图5A中的面向介质的表面示出，且从图5B中的侧视图示出，且根据现有技术示出。在多元件读取头50中的固有问题是虽然此读取头50允许将每个元件4、5形成为具有大于记录位尺寸的尺寸，但内屏蔽距离(也成为读取间隙宽度，即在头50内的下磁屏蔽层1和上磁屏蔽层16之间的距离)因为第一布线层10和第二布线层11的布置而增大，所述第一布线层10和第二布线层11构造为分开地从其各自的元件，即第一元件4和第二元件5获取信号。多元件读取头50也包括定位在MR元件4、5后方的隔离层21、插入在其间且处在MR元件4、5的两侧上的磁域控制层7和处在上磁屏蔽层16和第一布线层10与第二布线层11之间的隔离层6。

发明内容

在一个实施例中，磁头包括：定位在磁头的面向介质的表面处的下屏蔽层，定位在下屏蔽层上方的至少两个磁阻(MR)元件，每个MR元件沿元件高度方向从磁头的面向介质的表面延伸出去，定位在MR元件的每个的至少一个下层上方的沿元件高度方向离开磁头的面向介质的表面的一位置处的背布线层，其中背布线层构造为与MR元件电连通且构造为在读取操作其间从每个MR元件分别地获取信号，和定位在MR元件上方的上屏蔽层，所述上屏蔽层构造为与MR元件电连通。

在另一个实施例中，磁头包括：定位在磁头的面向介质的表面处的下屏蔽层，定位在下屏蔽层上方的至少两个MR元件，每个MR元件沿元件高度方向从磁头的面向介质的表面延伸出去，定位在MR元件的每个的至少一个下层上方的沿元件高度方向离开磁头的面向介质的表面的一位置处的背布线层，其中背布线层构造为与MR元件电连通且构造为在读取操作其间从每个MR元件分别地获取信号，和定位在每个MR元件上方的在磁头的面向介质的表面处的且沿元件高度方向从磁头的面向介质的表面延伸出去的上布线层，所述上布线层构造为与背布线层电连通，其中上布线层构造为作为用于MR元件的上电极起作用，且其中下屏蔽层构造为作为用于MR元件的下电极起作用。