[发明专利]氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)称取适量的SnCl₂·2H₂O，溶于无水乙醇中，在60-80℃下，持续剧烈搅拌，搅拌过程中加入适量的去离子水，形成溶胶，冷却至室温，再加入适量的无水乙醇，继续搅拌20-30min，加入乙酸调节溶液的PH，加入NH₄F水溶液，继续搅拌90-100min，形成透明的锡氟溶胶；

2)取适量的正硅酸乙酯缓慢滴入无水乙醇中，搅拌10-15分钟，再滴加适量的去离子水，调节溶液的PH，室温下搅拌1-2小时，静置，形成SiO₂溶胶；

3)于载体上，依次旋涂SiO₂溶胶和锡氟溶胶后，先在100-120℃下烘干，然后再放入450-550℃的马弗炉中热处理10-15min，最后进行退火处理，得氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜。

2.按照权利要求1所述的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：二水氯化亚锡乙醇溶液的浓度为0.2-0.6mol/L。

3.按照权利要求1所述的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：氟化铵与二水氯化亚锡的摩尔比为1：2.3-19。

4.按照权利要求1所述的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤1)中乙酸调节溶液的PH为2-3。

5.按照权利要求1所述的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：步骤2)中调节溶液的PH为2-3。

6.按照权利要求1所述的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的载体为玻璃片。

7.按照权利要求1所述的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：退火在氮气、真空或空气下进行。

8.按照权利要求7所述的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：退火在氮气下进行。

9.按照权利要求1-8任一所述的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的氟掺杂二氧化锡透明导电薄膜的透射率τ≥80％，电阻率ρ＝6.0×10^-3-7.0×10^-3Ω·cm。