[发明专利]曝光方法和半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410682296.X | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN104407503A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 丁刘胜;王旭洪;徐元俊 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京庆峰财智知识产权代理事务所(普通合伙) 11417 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 半导体器件 制造 | ||
1.一种曝光方法，所述方法包括：
在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；
将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光，
其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。
2.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
使用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)法，在所述光刻胶表面沉积所述介质层。
3.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
所述介质层是氧化铝层或氮化铝层。
4.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
所述介质层能够被使所述光刻胶显影的显影液所腐蚀。
5.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
所述介质层的厚度为1-100埃。
6.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
在对所述光刻胶曝光时，所述光刻板与所述介质层接触。
7.如权利要求1所述的曝光方法，其中，
所述介质层覆盖所述光刻胶的表面的全部或一部分。
8.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：
在半导体基材表面覆盖光刻胶；
在所述光刻胶表面沉积介质层；
将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光；
对经过曝光的光刻胶显影，以使所述光刻胶被图案化；
以图案化的光刻胶为掩模，对所述半导体基材进行处理，以形成半导体器件，
其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。
9.如权利要求8所述的制造方法，其中，
使用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)法，在所述光刻胶表面沉积所述介质层。
10.如权利要求8所述的制造方法，其中，
所述介质层是氧化铝层或氮化铝层。
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