[发明专利]曝光方法和半导体器件的制造方法

说明书

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种曝光方法和半导体器件的制造方法。

背景技术

接触式(Contact type)曝光是一种广泛应用在半导体集成电路制造过程中的曝光技术。在接触式曝光时，光刻板与光刻胶的距离非常近，甚至相接触，由此，能够达到较高的曝光分辨率，并能使显影后的光刻胶获得良好的图形侧壁，进而在后续的微加工过程中得到高质量的微结构。因此，在微机电系统和超大规模集成电路的制造工艺中，接触式曝光已经成为一种主要的曝光模式。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

申请内容

在现有的接触式曝光工艺中，光刻板不可避免的接触到晶圆表面的光刻胶，光刻板因而被粘上残胶。随着曝光片数的增加，残胶现象越来越严重，特别是在光刻胶较厚的情况下，只对几片晶圆进行曝光，就会在光刻版留下大量残胶。这些残胶形成了光刻板上的颗粒源，阻碍光线通过，导致显影后的图形产生大量的缺陷而无法被接受。为解决这种问题，现有技术的做法是在曝光一定片数后，清洗光刻板。但是，清洗光刻板需要专业的机台，或者由专业的光刻板清洗公司来清洗，由此，使整个半导体制造工艺的时间和成本增加。

本申请提供一种曝光方法和半导体器件的制造方法，在光刻胶表面沉积介质层，防止在曝光过程中光刻板与光刻胶接触，从而避免光刻胶对光刻板的粘污，使得清洗光刻板所需的时间和成本减少。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种曝光方法，所述方法包括：

在设置于基材表面的光刻胶表面沉积介质层；

将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光，

其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，

使用原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)法，在所述光刻胶表面沉积所述介质层。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，

所述介质层是氧化铝层。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，

所述介质层能够被使所述光刻胶显影的显影液所腐蚀。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，

所述介质层的厚度为1-100埃。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，

在对所述光刻胶曝光时，所述光刻板与所述介质层接触。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，

所述介质层覆盖所述光刻胶的表面的全部或一部分。

根据本申请实施例的再一个方面，提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

在半导体基材表面覆盖光刻胶；

在所述光刻胶表面沉积介质层；

将光刻板置于所述介质层表面，向所述光刻板照射光，以对所述光刻胶曝光；

对经过曝光的光刻胶显影，以使所述光刻胶被图案化；

以图案化的光刻胶为掩模，对所述半导体基材进行处理，以形成半导体器件，

其中，所述介质层对照射到所述光刻板的光透明。

本申请的有益效果在于：在光刻胶表面沉积介质层，能够防止在曝光过程中光刻板与光刻胶接触，避免光刻胶对光刻板的粘污，使得清洗光刻板所需的时间和成本减少。

参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。

针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：