[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
申请号: | 201410682872.0 | 申请日: | 2014-11-24 |
公开(公告)号: | CN104979241A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 南承庆 | 申请(专利权)人: | PSK有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 姜燕;王卫忠 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
该基板处理装置包括:
工序腔室;以及
排气单元,该排气单元具有连接于所述工序腔室的排气管线及设置于所述排气管线并调节所述工序腔室内的压力的泵;
所述排气管线包括:
高速配管,所述高速配管设置有对流体通路内部进行开闭的高速阀;以及
与所述高速配管连接的多个低速配管,所述低速配管具有小于所述高速配管的直径,且所述低速配管设置有针对其内部进行开闭的低速阀。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述低速配管中的一部分或全部的直径彼此不同。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述低速配管还包括直径彼此相同的板,所述板调节所述低速配管各自的所述流体通路的大小。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述低速配管在所述高速配管的第一位点分支,在较所述第一位点更下游的所述高速配管的第二位点再次连接,所述第二位点位于较所述泵更上游处。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还包括控制部,所述控制部控制所述高速阀及多个所述低速阀;
所述控制部在所述工序腔室内的所述压力达到设定压力之前关闭所述高速阀,打开所述低速阀中选择的低速阀,达到所述设定压力后,打开所述高速阀。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述高速配管打开时,所述低速配管关闭。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述选择的低速阀根据所述基板的种类预先设置。
8.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个低速配管中仅一个低速配管打开。
9.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多个低速配管中一个或多个低速配管打开。
10.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板的厚度越厚,选择具有越大流体通路的低速配管。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板的硬度越大,选择具有越大流体通路的低速配管。
12.一种基板处理方法,其特征在于,
所述基板处理方法包括以下步骤:
第一减压步骤,将工序腔室内部减压至工序压力以对基板进行处理,且所述减压在所述工序腔室内部达到设定压力之前关闭高速阀,打开低速阀中选择的低速阀;以及
第二减压步骤,达到所述设定压力后,打开所述高速阀。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法,其特征在于,
高速配管直径分别大于多个低速配管。
14.根据权利要求12所述的基板处理方法,其特征在于,
所述选择的低速阀根据基板的种类决定。
15.根据权利要求12所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述第一减压步骤中,仅打开多个低速配管中的一个低速配管。
16.根据权利要求12所述的基板处理方法,其特征在于,
在所述第一减压步骤中,打开多个低速配管中的一个或多个低速配管。
17.根据权利要求12所述的基板处理方法,其特征在于,
所述基板的厚度越厚,选择具有越大流体通路的低速配管。
18.根据权利要求12所述的基板处理方法,其特征在于,
所述基板的硬度越大,选择具有越大流体通路的低速配管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造