[发明专利]基板处理装置及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置及方法，具体而言，本发明涉及一种具有排气单元的基板处理装置及方法。

背景技术

为制造半导体组件，伴随有诸如沉积、曝光、灰化及洗涤的多种工序。其中，诸如沉积、蚀刻及灰化等的工序在真空状态下执行处理。在这种半导体工序中，在基板上形成诸如线(line)或间隔(space)图案等各种微细电路图案，或在离子注入(ion implantation)工序中，将用作屏蔽(mask)的光刻胶主要借助灰化(ashing)工序从基板除去。灰化工序在与外部隔离的工序腔室内进行，灰化工序时产生的反应气体及未反应气体以及反应副产物等由连接于工序腔室的排气管线排出至外部。排气管线除了排出反应副产物等的功能之外，还发挥调节工序腔室内的工序压力的功能。

执行该灰化工序的一般基板处理装置具有工序腔室及排气单元。排气单元包括高速配管及低速配管。打开低速配管，关闭高速配管直至工序腔室内部达到设定压力时为止，达到设定压力后，关闭低速配管，打开高速配管，减压至工序压力。此时，若迅速排出工序腔室内的气体直至达到设定压力时为止，则存在芯片位置变形等问题。若缓慢排出气体，则存在达到设定压力需要较长时间的问题。一般排气单元具有1个低速配管，因而存在无法根据芯片的种类提供最佳排气速度直至设定压力的问题。

发明内容

本发明的一个技术问题为提供一种针对基板高效进行工序处理的基板处理装置及方法。

本发明的另一个技术问题为提供一种缩短排气时间并防止芯片位置变形的基板处理装置及方法。

本发明的又一个技术问题为根据基板特性而提供最佳排气状态直至达到设定压力。

本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：工序腔室；以及排气单元，其具有连接于工序腔室的排气管线及设置于排气管线并调节工序腔室内的压力的泵。该排气管线包括：高速配管，其设置有针对流体通路内部进行开闭的高速阀；以及与高速配管连接的多个低速配管，其具有小于高速配管的直径，设置有针对其内部进行开闭的低速阀。

根据一个示例，低速配管中的一部分或全部的直径彼此不同。

根据另一示例，低速配管可具有直径彼此相同的板，以调节低速配管各自的流体通路的大小。低速配管可在高速配管的第一位点分支，在较第一位点更下游的高速配管的第二位点再次连接，该第二位点位于较泵更上游处。

还可提供控制部，其控制高速阀及多个低速阀；该控制部在工序腔室内的压力达到设定压力之前关闭高速阀，打开低速阀中选择的低速阀，达到设定压力后，打开高速阀。此时，当高速配管打开时，低速配管可关闭。选择的低速阀可根据芯片的种类预先设置。

根据一个示例，多个低速配管中仅一个低速配管可被打开。

另外，根据另一示例，多个低速配管中一或多个低速配管可被打开。

根据一个示例，基板的厚度越厚，可选择具有越大流体通路的低速配管。根据另一示例，基板的硬度越大，可选择具有越大流体通路的低速配管。

另外，本发明提供一种基板处理方法。根据该基板处理方法，将工序腔室内部减压至工序压力以对基板进行处理，该减压在使工序腔室内部达到设定压力之前关闭高速阀，打开低速阀中选择的低速阀。达到设定压力后，打开高速阀。高速配管直径可分别提供成大于多个低速配管。选择的低速阀可根据基板的种类决定。

在第一减压步骤中，可仅打开多个低速配管中的一个低速配管。在第一减压步骤中，可打开多个低速配管中的一或多个低速配管。根据一个示例，基板的厚度越厚，可打开具有越大流体通路的低速配管。根据另一示例，基板的硬度越大，可打开具有越大流体通路的低速配管。

根据本发明的一个实施例，可高效地对基板进行工序处理。

根据本发明的一个实施例，可缩短排气时间以防止芯片位置变形。

根据本发明的一个实施例，可根据基板的种类来提供最佳排气状态直至达到设定压力。

附图说明

图1为简要示出本发明实施例的基板处理装置的图。

图2为示出图1所示处理单元的一个示例的剖面图。

图3为简要示出图1所示排气单元的立体图。

图4为示出图1的排气单元的一个示例的俯视图。

图5至图7为示出图4的排气单元中排气方法的图。

图8为示出图1的排气单元的另一示例的俯视图。

图9至图11为示出图8的排气单元中排气方法的图。

图12为示出图1的排气单元的又一示例的俯视图。

图13与图14为示出图12的排气单元中排气方法的图。