[发明专利]无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件及电池板

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶硅光伏组件，特别是涉及一种无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件及电池板。

背景技术

晶体硅分为单晶硅、多晶硅、和非晶硅。其中，单晶硅太阳能电池是当前开发得最快的一种太阳能电池，它的构造和生产工艺已定型，产品已广泛用于空间和地面。

上述晶体硅可用于制作晶体硅光伏组件，研究表明，存在于晶体硅光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压，会造成组件的光伏性能的持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的，例如在上述高电压的作用下，组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移现象；电池中出现的热载流子现象；电荷的再分配削减了电池的活性层；相关的电路被腐蚀等等。

上述引起衰减的机理被称之为电势诱发衰减、极性化、电解腐蚀和电化学腐蚀。常规抗PID(Potential Induced Degradation—电势诱导衰减)，在组件使用3-5年后组件功率衰减明显，组件寿命期间，功率衰减过多，组件寿命变短，导致电站发电量明显下降。

同时，现有常规晶体硅组件重量约为20kg左右。组件本身的重量，限制了其应用范围，在承重能力较弱的屋顶等项目中，不能满足实际需求。并且，常规晶体硅组件笨重，导致其不方便携带及运输。

因此，针对上述技术问题，有必要进一步的解决方案。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件及电池板，以克服现有的晶体硅光伏组件中存在的缺陷。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：

本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件包括：前板玻璃、电池片、背板以及接线盒，所述电池片位于所述前板玻璃和背板之间；

所述前板玻璃为4.0-5.0mm厚的光伏超白压花玻璃，所述电池片与所述前板玻璃之间、电池片与所述背板之间分别设置有封装材材料层，所述封装材料层为聚烯烃，所述接线盒与电池片进行电性连接。

作为本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的改进，所述电池片任一侧的封装材料层的厚度为0.25-0.8mm。

作为本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的改进，所述无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的厚度小于1cm，重量为8-12kg。

作为本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的改进，所述无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件还包括焊带，所述焊带设置于所述电池片的正面，所述接线盒与所述焊带进行电性连接。

作为本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的改进，所述聚烯烃为热固型或热塑型。

作为本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的改进，所述接线盒为背接式接线盒，其安装于所述电池片的背面。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：

本发明的电池板包括如上所述的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件，所述组件的数量为多个，所述多个组件之间进行电性连接。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件摒弃铝边框，组件无需装框就能满足5400pa的载荷要求；且组件完全抗PID，并且减小组件重量，降低组件厚度，降低制造成本。从而，大大延长组件使用寿命，降低组件使用过程中的功率衰减，扩展了晶体硅组件的应用范围，及提高了晶体硅组件的便捷性及可运输性。解决了晶体硅组件质量重，厚度厚，运输及使用不方便等问题；

同时，本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件的光透过率达到92％以上，增加了组件的发电量，并且不降低组件的刚性和机械载荷能力；

本发明的无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件水汽透过率低，增加了组件的抗PID性能，使组件为完全抗PID组件，在组件寿命期间不会出现PID现象。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明无框型晶硅电池完全抗PID轻质组件一具体实施方式的平面示意图，其中，前板玻璃-10、电池片-20、背板-30、接线盒-40、封装材材料层-50、焊带-60。

具体实施方式