[发明专利]一种硅片冗余图形填充方法及产品在审
| 申请号： | 201410693133.1 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104409445A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 阚欢;魏芳;朱骏;吕煜坤;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 冗余 图形 填充 方法 产品 | ||
1.一种硅片冗余图形填充方法，其特征在于包括：
根据距离硅片上有效电路的距离远近，将冗余图形填充区域分成n个区；
设定n个冗余图形填充区域的填充密度值，距离有效电路越近的区域填充密度值越小，距离有效电路越远的区域填充密度值越大。
2.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述冗余图形填充区域的大小，形状及填充密度增加原则可根据具体要求而异。
3.如权利要求1所述的填充方法，其特征在于：所述冗余图形填充区域分成3个区，根据距有效电路的距离由近及远而分别是定填充密度值为30％,40％,50％。
4.一种含有冗余图形的硅片，包括硅片，有效电路及冗余图形，其特征在于：根据距离所述有效电路的距离远近，所述冗余图形的填充区域被分为n个区，且距离所述有效电路越近的区域其冗余图形填充密度越小，而距离所述有效电路越远的区域其冗余同行填充密度越大。
5.如权利要求4所述的硅片，其特征在于：所述冗余图形填充区域的大小，形状及密度增加原则可根据具体要求而异。
6.如权利要求4所述的硅片，其特征在于：所述冗余图形填充区域分成3个区，根据距有效电路的距离由近及远而分别是定填充密度值为30％,40％,50％。
7.一种集成电路产品，其特征在于，在其中包含至少一块权利要求4-6之一所述的硅片。
8.如权利要求7所述的集成电路产品，其特征在于：所述产品可以是智能手机或平板电脑。
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