[发明专利]自动检测晶片基底二维形貌的装置

权利要求书

1.一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，其特征在于，包括N个PSD， N束第一种激光、与所述N束第一种激光一一对应的N个第一分光片、与所述 N束第一种激光一一对应的N个第二分光片、第一运算模块、第二运算模块和 分析模块，

所述N束第一种激光沿直线排布，其中，所述N为3以上的自然数，所述 N个PSD与N束第一种激光一一对应，所述N个PSD分别布置在所述N束激 光的左右两侧，包括左侧PSD和右侧PSD，

每束第一种激光经过第一分光片后入射到第二分光片，通过第二分光片后 入射到晶片样品表面，晶片样品表面反射的N束第一种反射光束包括第一方向 光束和第二方向光束，第一方向光束通过第二分光片后，入射到第一分光片， 经过所述第一分光片后，入射到所述右侧PSD上，形成光斑；所述第二方向光 束通过第二分光片后入射到所述左侧PSD上，形成光斑；所述右侧PSD和左侧 PSD上共形成N个光斑；

所述N个第一分光片和N个第二分光片上分别设有镀膜区域，其中，对应 于所述第一方向光束的区域，所述第一分光片能同时反射和透射所述第一种激 光，所述第二分光片能够反射所述第一种激光；对应于所述第二方向光束的区 域，所述第二分光片能同时反射和透射所述第一种激光；

所述第一运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意两个入 射点之间在待测基底径向即X方向的曲率C_X，

所述第二运算模块根据N个光斑的位置信号，计算晶片基底上任意一个入 射点在待测基底移动方向即Y方向的曲率C_Y，

其中，N为3以上的自然数，所述N个光斑是由N束激光沿晶片基底径向 即X方向入射到晶片基底后又分别反射到与所述入射光一一对应的PSD上形成 的，

所述分析模块根据各所述C_X、C_Y的计算结果，得到基底的二维形貌。

2.根据权利要求1所述的自动检测晶片基底二维形貌的装置，其特征在于， 还包括温度测量装置，所述温度测量装置能够发出第二种激光，所述第二种激 光通过所述第一分光片或者所述第二分光片后与所述第一种激光耦合，并一同 入射到晶片样品表面。

3.根据权利要求2所述的检测晶片基底二维形貌和温度的装置，其特征在 于，所述第二种激光经过所述第二分光片上对应于所述第一方向光束的任一个 区域透射后入射到晶片样品表面，对应于所述第二种激光的区域，所述第二 分光片的镀膜使其在(λ₂-10nm，λ₂+10nm)的波长范围内的透射率大于 95％，其中，λ₂为所述第二种激光的波长。

4.根据权利要求2所述的检测晶片基底二维形貌和温度的装置，其特 征在于，所述第二种激光经过所述第一分光片上对应于所述第二方向光束的任 一个区域透射后入射到晶片样品表面，并经过所述第二分光片上对应于所述第 二方向光束的任一个区域反射，对应于所述第二种激光的区域，所述第一分 光片的镀膜使其在(λ₂-10nm，λ₂+10nm)的波长范围内的透射率大于95％， 所述第二分光片的镀膜使其在(λ₂-10nm，λ₂+10nm)的波长范围内的反 射率大于95％，其中，λ₂为所述第二种激光的波长。

5.根据权利要求1所述的检测晶片基底二维形貌的装置，其特征在于，

所述N个第一分光片集成为一片，

和/或，

所述N个第二分光片集成为一片。

6.根据权利要求1所述的检测晶片基底二维形貌的装置，其特征在于，对 应于所述第一方向光束的区域，所述第一分光片的镀膜使其在(λ₁-10nm，λ ₁+10nm)的波长范围内的反射率为50％，对应于所述第二方向光束的区域，所 述第二分光片的镀膜使其在(λ₁-10nm，λ₁+10nm)的波长范围内的反射率为 50％，其中，λ₁为所述N束第一种激光的中心波长。